CSD18504Q5A和IRLB3036PBF和MSP430FR5994IPMR和MSP430FR5969IRGZR

一、CSD18504Q5A 晶体管 - FET，MOSFET - 单：
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 15A（Ta），50A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值） 6.6 毫欧 @ 17A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值） 19nC @ 10V
Vgs（大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值） 1656pF @ 20V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 3.1W（Ta），77W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-VSONP（5x6）
封装/外壳 8-PowerTDFN



二、IRLB3036PBF ：
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 195A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值） 2.4 毫欧 @ 165A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值） 140nC @ 4.5V
Vgs（大值） ±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值） 11210pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 380W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3



三、MSP430FR5994IPMR 嵌入式 - 微控制器：
核心处理器 CPUXV2
核心尺寸 16 位
速度 16MHz
连接性 I²C，IrDA，SPI，UART/USART
外设 欠压检测/复位，DMA，POR，PWM，WDT
I/O 数 54
程序存储容量 256KB（256K x 8）
程序存储器类型 FRAM
EEPROM 容量 -
RAM 容量 8K x 8
电压 - 电源（Vcc/Vdd） 1.8V ~ 3.6V
数据转换器 A/D 17x12b
振荡器类型 内部/外部
工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 64-LQFP
供应商器件封装 64-LQFP（10x10）



四、MSP430FR5969IRGZR 嵌入式 - 微控制器：
核心处理器 CPUXV2
核心尺寸 16 位
速度 16MHz
连接性 I²C，IrDA，SCI，SPI，UART/USART
外设 欠压检测/复位，DMA，POR，PWM，WDT
I/O 数 40
程序存储容量 64KB（64K x 8）
程序存储器类型 FRAM
EEPROM 容量 -
RAM 容量 2K x 8
电压 - 电源（Vcc/Vdd） 1.8V ~ 3.6V
数据转换器 A/D 16x12b
振荡器类型 内部
工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 48-VFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装 48-VQFN（7x7）



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