晶圆切割时,经常遇到较窄迹道(street)宽度,要求将每一次切割放在迹道中心几微米范围内的能力。这就要求使用具有高分度轴精度、高光学放大和对准运算的设备。当用窄迹道切割晶圆时,应选择尽可能薄的刀片。可是,很薄的刀片(20um)是非常脆弱的,更容易过早破裂和磨损。结果,其寿命期望和工艺稳定性都比较厚的刀片差。对于50~76um迹道的刀片推荐厚度应该是20~30um。
刀痕,自动校准基准线位置,防止崩边过大及切片造成良率的损失。能进行测高并同步切割作业时对切割刀刃进行实时检测。清洗部位配备水汽二流体清洗装置,能对加工物进行清洗。半自动划片机LX3356机台可作业8时wafer,含自动光学补偿、聚焦及自特征点功能,配有高低倍两种镜头,可用于切割道宽度测量、基准线补偿调整等。可自动检测切割刀痕,自动校准基准线位置,防止崩边过大及切片造成良率的损失。能进行测高并同步切割作业时对切割刀刃进行实时检测。
顶面碎片,它发生晶圆的顶面,变成一个合格率问题,当切片接近芯片的有源区域时,主要依靠刀片磨砂粒度、冷却剂流量和进给速度。
背面碎片发生在晶圆的底面,当大的、不规则微小裂纹从切割的底面扩散开并汇合到一起的时候。当这些微小裂纹足够长而引起不可接受的大颗粒从切口除掉的时候,BSC变成一个合格率问题。如果背面碎片的尺寸在10um以下,忽略不计。另一方面,当尺寸大于25um时,可以看作是潜在的受损。可是,50um的平均大小可以接受,示晶圆的厚度而定。
切片工序的关键部分是切割刀片的修整(dressing)。在非监测的切片系统中,修整工序是通过一套反复试验来建立的。在刀片负载受监测的系统中,修整的终点是通过测量的力量数据来发现的,它建立佳的修整程序。这个方法有两个优点:不需要来佳的刀片性能,和没有合格率损失,该损失是由于用部分修整的刀片切片所造成的质量差。
外圆切割组然操作简单,但据片刚性差,切割全过程中锯片易方向跑偏.造成被切割工们的平面度差;而内圆切割只有进行直线切割,没法进行斜面切割。线锯切割技术具备割缝窄、率、切成片、可进行曲线图切别等优点成为口前普遍选用的切割技术。
硅圆片切割应用的目的是将产量和合格率大,同时资产拥有的成本小。可是,挑战是增加的产量经常减少合格率,反之亦然。晶圆基板进给到切割刀片的速度决定产出。随着进给速度增加,切割品质变得更加难以维持在可接受的工艺窗口内。进给速度也影响刀片寿命。在许多晶圆的切割期间经常遇到的较窄迹道(street)宽度,要求将每一次切割放在迹道中心几微米范围内的能力。这就要求使用具有高分度轴精度、高光学放大和对准运算的设备。