英飞凌提供广泛的汽车P沟道功率MOSFET产品组合,采用引线封装,采用OptiMOS™ -P2和Gen5技术。
我们的汽车 P 沟道 MOSFET 产品组合提供 30V、40V、55V 和 150V 产品,具有低的 RDS(开启)在 40 V 和高电流能力
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号:
IPD650P06NMATMA1
IPD65R190C7ATMA1
IPD65R1K4C6ATMA1
IPD65R225C7ATMA1
IPD65R380C6BTMA1
IPD65R380E6ATMA1
IPD65R600E6ATMA1
IPD65R950C6ATMA1
IPD70R600CEAUMA1
IPD70R950CEAUMA1
IPD78CN10NGATMA1
IPD80R1K0CEATMA1
IPD80R1K4P7ATMA1
IPD80R2K0P7ATMA1
IPD80R2K4P7ATMA1
IPD80R2K8CEATMA1
IPD80R450P7ATMA1
IPD80R4K5P7ATMA1
IPD80R900P7ATMA1
IPD900P06NMATMA1
更多型号请联系我们的业务专员,我们将竭诚为你服务!
IPD90R1K2C3ATMA2
功能摘要
低比导通电阻(RDS(开启)*一)
输出电容中的能量存储非常低(E开放源码软件) @400V
低栅极电荷(Qg)
经过现场验证的酷苔质量™
CoolMOS™技术自1998年以来一直由英飞凌制造
优点:
率和功率密度
出色的性价比
高可靠性
易于使用Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号:
IPD90R1K2C3ATMA2
IPD95R1K2P7ATMA1
IPD95R2K0P7ATMA1
IPD95R450P7ATMA1
IPD95R750P7ATMA1
IPI051N15N5AKSA1
IPI60R125CPXKSA1
IPI60R190C6XKSA1
IPI60R199CPXKSA1
IPI60R280C6XKSA1
IPI65R600C6XKSA1
IPI70R950CEXKSA1
IPL60R065P7AUMA1
IPL60R085P7AUMA1
IPL60R104C7AUMA1
IPL60R125P7AUMA1
IPL60R180P6AUMA1
IPL60R185C7AUMA1
IPL60R185P7AUMA1
IPL60R199CPAUMA1
IPL60R210P6AUMA1
英飞凌常用MOSFET型号大量现货,欢迎商务联系合作!
汽车碳化硅 MOSFET
碳化硅 (SiC) MOSFET 为汽车应用提供率和可靠性。英飞凌广泛的汽车碳化硅MOSFET,包括碳化硅CoolSiC™ MOSFET、碳化硅 MOSFET 分立器件和碳化硅冷却碳化硅™ MOSFET 模块.
这些用于汽车行业的 SiC MOSFET 提供佳性能和高的运行可靠性,并在空间和重量类别方面节省成本。
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号:
IPC100N04S5L-2R6
IPD040N03LGATMA1
IPD050N10N5ATMA1
IPD090N03LGATMA1
IPD11DP10NMATMA1
IPD135N03LGBTMA1
IPD18DP10LMATMA1
IPD19DP10NMATMA1
IPD25DP06LMATMA1
IPD350N06LGBTMA1
IPD40DP06NMATMA1
IPD42DP15LMATMA1
IPD50R1K4CEAUMA1
IPD50R280CEAUMA1
IPD50R2K0CEAUMA1
IPD50R380CEAUMA1
IPD50R500CEAUMA1
IPD50R520CPATMA1
IPD50R650CEAUMA1
IPD50R800CEAUMA1
原装,诚信合作,欢迎合作!
P 沟道功率 MOSFET 应用
英飞凌为广泛的工业和汽车应用提供丰富的P沟道功率MOSFET产品组合。
工业应用
英飞凌广泛的 P 沟道功率 MOSFET 产品组合是各种工业应用的理想选择,包括B保护, 崇敬极性保护, 线性电池充电器, 负载开关,直流-直流转换器,车载充电器,电机控制和低压驱动应用.汽车应用
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号:
IPA60R460CEXKSA1
IPA60R600CPXKSA1
IPA60R600E6XKSA1
IPA60R650CEXKSA1
IPA65R045C7XKSA1
IPA65R065C7XKSA1
IPA65R095C7XKSA1
IPA65R125C7XKSA1
IPA65R190C7XKSA1
IPA65R190E6XKSA1
IPA65R1K5CEXKSA1
IPA65R225C7XKSA1
IPA65R280E6XKSA1
IPA65R380E6XKSA1
IPA65R400CEXKSA1
IPA65R650CEXKSA1
IPA80R1K0CEXKSA2
IPA80R1K2P7XKSA1
IPA80R1K4CEXKSA2
IPA80R1K4P7XKSA1
英飞凌各种常用型号大量现货,欢迎咨询合作!
AURIX™ TriCore™ 在单个MCU中集成了一个RISC处理器内核、一个微控制器和一个DSP。基于TriCore™ 的产品在汽车中的应用非常广泛,包括内燃机控制、纯电动和混合动力汽车、变速器控制单元、底盘域、制动系统、电动转向系统、安全气囊、联网和驾驶辅助系统,并推动着自动化,电动化以及网联化的发展。AURIX™ 系列还适用于工业应用领域,在优化电机控制应用和信号处理方面非常具有性。
英飞凌广泛的产品组合使得工程师能根据自己所需的存储器、外设、频率、温度和封装挑选合适的产品。并且,所有这些在不同的产品间都具有很高的兼容性。
英飞凌MOSFET场效应管部分型号:
BSS127H6327XTSA2
BSS131H6327XTSA1
BSS139H6327XTSA1
BSS169H6906XTSA1
BSS84PH6327XTSA2
BSZ018NE2LSATMA1
BSZ019N03LSATMA1
BSZ025N04LSATMA1
BSZ028N04LSATMA1
BSZ042N06NSATMA1
BSZ065N03LSATMA1
BSZ100N06NSATMA1
BTS132E3129NKSA1
FF2MR12KM1PHOSA1
IAUA120N04S5N014
IAUA180N04S5N012
IAUA200N04S5N010
IAUC100N04S6L020
IAUC100N04S6L025
IAUC100N04S6N015
常用型号大量现货,更多型号请咨询!
SPB80P06P-G描述:
P 沟道增强模式 场效应晶体管 (FET), -60V, D2PAK
英飞凌高度创新的OptiMOS™系列包括p沟道功率MOSFET。这些产品始终如一地满足电源系统设计关键规格的和性能要求,例如导通电阻和品质因数特性。
功能摘要:
增强模式
雪崩等级
快速切换
额定分量/分吨
无铅镀铅
符合 RoHS 标准,无卤素
符合 AEC Q101 标准
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号:
ISC0806NLSATMA1
ISZ0501NLSATMA1
ISZ0602NLSATMA1
ISZ0703NLSATMA1
ISZ0803NLSATMA1
ISZ0804NLSATMA1
SPA06N80C3XKSA1
SPA07N60C3XKSA1
SPA08N50C3XKAS1
SPA08N80C3XKSA1
SPA11N65C3XKSA1
SPA11N80C3XKSA2
SPA17N80C3XKSA1
SPA20N60C3XKSA1
SPA20N65C3XKSA1
SPA21N50C3XKSA1
SPB03N60C3E3045
SPB18P06PGATMA1
SPB21N50C3ATMA1
SPB80P06PGATMA1
英飞凌常用型号常备现货,交货快捷迅速,欢迎各方案公司,终端工厂咨询合作!