而烧结技术通过高温使AS9330表面原子互相扩散,从而形成致密结构的过程,也称之为“低温烧结技术”。加入纳米银粒子的低温烧结技术大大提升了导热及导电性能,可满足对于第三代半导体高功率器件的电子互联应用。AS9330半烧结银无需高温高压,可以在175度至200度温度范围下低温烧结并且粘接力稳定。剪切强度高达45MPA。通过以上步骤,可以降低芯片封装纳米烧结银的烧结温度、减少烧结裂纹、降低烧结空洞率、提高烧结体的致密性和热导率。
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