IPU60R600C6AKMA1，英飞凌MOSFET原装供货

IPD90R1K2C3ATMA2
功能摘要
低比导通电阻（RDS（开启）*一）
输出电容中的能量存储非常低（E开放源码软件） @400V
低栅极电荷（Qg)
经过现场验证的酷苔质量™
CoolMOS™技术自1998年以来一直由英飞凌制造
优点：
率和功率密度
出色的性价比
高可靠性
易于使用Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IPD90R1K2C3ATMA2
IPD95R1K2P7ATMA1
IPD95R2K0P7ATMA1
IPD95R450P7ATMA1
IPD95R750P7ATMA1
IPI051N15N5AKSA1
IPI60R125CPXKSA1
IPI60R190C6XKSA1
IPI60R199CPXKSA1
IPI60R280C6XKSA1
IPI65R600C6XKSA1
IPI70R950CEXKSA1
IPL60R065P7AUMA1
IPL60R085P7AUMA1
IPL60R104C7AUMA1
IPL60R125P7AUMA1
IPL60R180P6AUMA1
IPL60R185C7AUMA1
IPL60R185P7AUMA1
IPL60R199CPAUMA1
IPL60R210P6AUMA1
英飞凌常用MOSFET型号大量现货，欢迎商务联系合作！

汽车 N 沟道 MOSFET
凭借采用多种封装的汽车 N 沟道 MOSFET 产品组合，我们的 MOSFET 可提供的设计灵活性并满足广泛的需求。从 3mm x 3mm 开始，到 10mm x 15mm 的尺寸，您可以找到满足您应用需求的 MOSFET。
此外，新发布的用于40V电机驱动应用的半桥封装，以及用于高功率密度应用的新顶部冷却10mm x 15mm，完善了满足这些特殊要求的产品组合，分别节省了空间和冷却组件的额外成本。
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IPD60R180P7ATMA1
IPD60R1K0CEAUMA1
IPD60R1K4C6ATMA1
IPD60R1K5CEAUMA1
IPD60R280P7ATMA1
IPD60R360P7ATMA1
IPD60R380E6BTMA1
IPD60R380P6ATMA1
IPD60R385CPATMA1
IPD60R3K3C6ATMA1
IPD60R3K4CEAUMA1
IPD60R400CEAUMA1
IPD60R450E6ATMA1
IPD60R600C6ATMA1
IPD60R600E6BTMA1
IPD60R600P7ATMA1
IPD60R650CEAUMA1
IPD60R750E6ATMA1
IPD60R800CEAUMA1
IPD60R950C6ATMA1
原装承诺，合作共赢！

英飞凌广泛的 12 V-40 V N 沟道 MOSFET 产品组合小巧紧凑，包括OptiMOS™和StrongIRFET™适用于低、中、高功率应用的技术。
低压 12 V-40 V MOSFET 产品系列包括 20 V N 沟道功率 MOSFET、30 V N 沟道 MOSFET 和 40 V N 沟道 MOSFET。英飞凌的™ 光电产品组合提供更高的效率和功率密度，而庞大的产品组合强式红外场效应管™产品提供、坚固的设计以及的性能。通过提供两者OptiMOS™和StrongIRFET™在产品系列中，英飞凌提供节省空间的解决方案不仅优化了热性能，而且在减小尺寸的同时提高了额定电流。
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IPB0401NM5SATMA1
IPB044N15N5ATMA1
IPB048N15N5ATMA1
IPB049N08N5ATMA1
IPB060N15N5ATMA1
IPB107N20NAATMA1
IPB110P06LMATMA1
IPB19DP10NMATMA1
IPB320P10LMATMA1
IPB330P10NMATMA1
IPB50R140CPATMA1
IPB50R199CPATMA1
IPB60R040C7ATMA1
IPB60R045P7ATMA1
IPB60R060C7ATMA1
IPB60R099C6ATMA1
IPB60R099C7ATMA1
IPB60R099CPATMA1
IPB60R099P7ATMA1
IPB60R120C7ATMA1
英飞凌大量原装现货，让您合作无忧。

AURIX™ TriCore™ 在单个MCU中集成了一个RISC处理器内核、一个微控制器和一个DSP。基于TriCore™ 的产品在汽车中的应用非常广泛，包括内燃机控制、纯电动和混合动力汽车、变速器控制单元、底盘域、制动系统、电动转向系统、安全气囊、联网和驾驶辅助系统，并推动着自动化，电动化以及网联化的发展。AURIX™ 系列还适用于工业应用领域，在优化电机控制应用和信号处理方面非常具有性。
英飞凌广泛的产品组合使得工程师能根据自己所需的存储器、外设、频率、温度和封装挑选合适的产品。并且，所有这些在不同的产品间都具有很高的兼容性。
英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
BSS127H6327XTSA2
BSS131H6327XTSA1
BSS139H6327XTSA1
BSS169H6906XTSA1
BSS84PH6327XTSA2
BSZ018NE2LSATMA1
BSZ019N03LSATMA1
BSZ025N04LSATMA1
BSZ028N04LSATMA1
BSZ042N06NSATMA1
BSZ065N03LSATMA1
BSZ100N06NSATMA1
BTS132E3129NKSA1
FF2MR12KM1PHOSA1
IAUA120N04S5N014
IAUA180N04S5N012
IAUA200N04S5N010
IAUC100N04S6L020
IAUC100N04S6L025
IAUC100N04S6N015
常用型号大量现货，更多型号请咨询！

静电保护_浪涌电压保护
EiceDRIVER™ 栅极驱动器，用于驱动MOSFETs，IGBTs，碳化硅MOSFET， 以及氮化镓HEMT
每个功率器件都需要一个驱动芯片——合适的驱动芯片让您事半功倍。电力电子应用是基于功率器件技术。而所有功率器件都需要合适的栅极驱动器解决方案。因此，我们提供500多种 EiceDRIVER™ 栅极驱动器，适用于任何功率器件，和任何终端应用。
EiceDRIVER™ 栅极驱动器提供从0.1 A到10 A的一系列的典型输出电流选项。具有全面的保护功能，包括快速短路保护（DESAT），有源米勒钳位，直通短路保护，故障报告，关断，过流保护。使得这些驱动适用于包括CoolGaN™和 CoolSiC™在内的所有功率器件
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
SPP07N60C3XKSA1
SPP08N50C3XKSA1
SPP08N80C3XKSA1
SPP11N60C3XKSA1
SPP11N80C3XKSA1
SPP15N65C3XKSA1
SPP17N80C3XKSA1
SPP18P06PHXKSA1
SPP20N60S5XKSA1
SPP21N50C3XKSA1
SPP24N60C3XKSA1
SPP80P06PHXKSA1
SPS01N60C3BKMA1
SPS04N60C3AKMA1
SPW11N80C3FKSA1
SPW15N60C3FKSA1
SPW16N50C3FKSA1
SPW17N80C3FKSA1
SPW20N60C3FKSA1
SPW24N60C3FKSA1
英飞凌常用型号常备现货，欢迎各方案公司，终端工厂咨询合作！

IRFR13N15DTRPBF产品特性：
采用 D-Pak 封装的 150V 单 N 沟道六通道六角形场效应管功率 MOSFET
符合 RoHS 标准
低导通电阻
行业的质量
动态 dv/dt 额定值
快速切换
完全雪崩额定
175°C 工作温度
LSI后缀中的I表示OptiMOS™的附加功能，即英飞凌超级势垒二极管（单片集成肖特基二极
管）。
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IRFR13N15DTRPBF
IRFR13N20DTRPBF
IRFR15N20DTRPBF
IRFR18N15DTRPBF
IRFR2307ZTRLPBF
IRFR24N15DTRPBF
IRFR3709ZTRLPBF
IRFR3710ZTRLPBF
IRFR7746PBF-INF
IRFR9024NTRLPBF
IRFR9120NTRLPBF
IRFR9N20DTRLPBF
IRFS3207ZTRRPBF
IRFS3307ZTRLPBF
IRFS3307ZTRRPBF
IRFS4310ZTRLPBF
IRFS4410PBF-INF
IRFS4410ZTRLPBF
IRFU3607TRL701P
IRFU4105ZPBF-IR
常用型号大量现货，更多型号请咨询，欢迎各方案公司，终端工厂咨询合作！