DTS+TCB预烧结银焊盘工艺提高功率器件通流能力和功率循环能力
在新能源汽车、5G通讯、光伏储能等终端应用的发展下,SiC/GaN等第三代半导体材料水涨船高,成为时下火爆的发展领域之一。
终端应用市场对于率、高功率密度、节能的系统设计需求日益增强,与此同时,各国能效标准也不断演进,在此背景下,SiC凭借耐高温、开关更快、导热更好、低阻抗、更稳定等出色特性,正在不同的应用领域发光发热。
GVF预烧结银焊片(DTS+TCB(Die Top System +Thick Cu Bonding)不仅能显著提高芯片连接的导电性、导热性,以及芯片连接的可靠性,并对整个模块的性能进行优化,还能帮助客户提高生产率,降低芯片的破损率,加速新一代电力电子模块的上市时间。
GVF预烧结银焊片(DTS+TCB(Die Top System +Thick Cu Bonding))能够将电力电子模块的使用寿命延长50多倍,并确保芯片的载流容量提高50%以上。
GVF预烧结银焊片(DTS+TCB(Die Top System +Thick Cu Bonding)和金,银,铜表面剪切强度都很大。
GVF预烧结银焊片(DTS+TCB(Die Top System +Thick Cu Bonding)的使用方法为:Pick & Place;