校准区截面呈方形,晶圆上料装置和晶圆收料装置对应设置在方形的相邻两侧边,晶圆取放装置对应设置在晶圆上料装置和边缘式校准器之间,且自动导片机还包括位于校准区的负离子发生器。这样设置,结构紧凑,设备运行,同时,负离子发生器可产生大量带有正负电荷的气流,可以将晶圆检测区内的物体表面所带电荷中和。
硅晶圆切片工艺是在“后端”装配工艺中的步。在芯片的分割期间,刀片碾碎基础材料(晶圆),同时去掉所产生的碎片。材料的去掉沿着晶方(dice)的有源区域之间的切割线(迹道)发生的。冷却剂(通常是去离子水)指到切割缝内,改善切割品质,和通过帮助去掉碎片而延长刀片寿命。每条迹道(street)的宽度(切口)与刀片的厚度成比例。
现有晶圆隔道通常采用裂片刀沿着切割线进行切开,使得容易造成芯片隔道交错区域边缘崩裂的同时产生的碎屑不好排出,并且现有的晶圆在裂片时,由于受到不同方向的力进行裂片,裂片效率较低,同时容易让芯片发生位移,从而产生划痕造成损伤。