晶闸管可工作的大频率由其工作时的电流脉冲宽度,关断时间以及从关断后承受正压开始至其再次开通的时间决定。fmax=1/(tq+tp+tV)。根据工作频率选取元件时元件从正向电流过零至开始承受正压的时间间隔tH>tq,并留有一定的裕量。随着工作频率的升高,元件正向损耗和反向恢复损耗随之升高,元件通态电流须降额使用。
晶体管的主要参数:
1、反向阻断峰值电压:在额定结温和控制开路的条件下,允许重复加在阳—阴间的大反向阻断电压;
2、正向阻断峰值电压:在额定结温和控制开路及晶闸管正向阻断的条件下,重复加在阳—阴间的大正向阻断电压;
3、正向平均电流:在规定环境温度及散热条件下,允许连续通过工频正弦半波电流的平均值;
4、通态平均电压: 晶闸管导通时管压降的平均值,一般在0.4~1.2V;
5、维持电流:在室温和控制开路时,元件能维持导通状态所需的小阳电流;
6、控制触发电压和触发电流:在温室下,阳—阴间加规定的正向直流电压,使晶闸管导通所需的小控制电压和电流。
可控硅技术是具有半个多世纪的技术,在可控硅调光技术之后,照明行业有采用0/1-10V模拟调光、DMX512与DALI等数字调光协议技术。但是,可控硅调光技术却有着一定的的优势,一个是历史传承原因,另外一个无需信号线,不用改变原有线路的简便性,成本低、施工方便比较受工程方欢迎,所以可控硅调光电源还是占据调光电源的市场份额。大家都说可控硅调光要做匹配测试到底在匹配什么?一般可控硅产品仍具有兼容性等问题尽管多个跨国大LED驱动IC的厂开发出了可以兼容现有可控硅调光器的IC芯片来,一般电源公司的可控硅电源都是利用这种通用IC方案实现的,针对市面上有几百上千种不同规格的可控硅和晶体管调光开关,实际上所开发的IC根本不可能兼容大多数的可控硅开关,兼容性比较低,兼容一直困扰整个行业。经常会听到工程客户说找了很多厂家的电源,都没有办法兼容到光控制系统。除此之外大多数可控硅电源还有许多较常见的问题像调光效果不好、调光范围窄、容易出现闪烁等。
兼容性,是调光器与调光电源的匹配说到可控硅调光的兼容性问题,其中一个常见问题在于通常切相调光器在调光时所产生的和小触发角存在着很大的不一致,导致LED灯具调光性能的差异化。不不同的触发角的变动范围都非常大,如此一来,其导通时间和施加给负载的功率也会出现变化。相切调光器的导通周期都与LED的工作电流直接相关,并因此而影响着灯具的发光量。假设LED驱动电源具有固定的调光曲线,针对不同的调光器,该驱动电源电路的性能表现也会不一样。此外,调光曲线上的任何非线性都会加剧调光器之间的性能差异。
平板可控硅
SEMIKRON赛米控平板可控硅
IR/Vishay平板可控硅
eupec/Iinfineon英飞凌平板可控硅
PROTON普拉动平板平板可控硅
PRX平板可控硅
WESTCODE西码平板可控硅
DYNEX丹尼克斯平板可控硅
POSEICO平板可控硅
ABB平板可控硅
Siemens西门子平板可控硅
三菱平板可控硅
东芝平板可控硅
三社平板可控硅
电磁炉、变频器、逆变器、UPS电源、EPS电源、开关电源、电机控制、变焊机、固态继电器、有源滤波器、风力发电设备、工业传动装置、电梯或传动设备、机车与列车用电源、电能表、照明电器等各种产品上。
名称:平板式可控硅的制作方法
技术领域:
本实用新型涉及一种平板式可控硅。
背景技术:
可控硅又称晶间管,晶间管整流器具有耐压高、容量大、、控制特性好、体积小、寿命长等诸多优点,发展迅猛。在世纪应用中,大功率晶间管整流装置一般采用平板式可控硅,其特点是可作双面冷却。目前大功率平板式可控硅的封装普遍采用陶瓷外壳的封装结构形式,虽然陶瓷材料能够绝缘、耐热,但因为陶瓷工艺易碎、杂质难控制等特点,其加工要求非常高,且封装时需要经过焊接在内的多道工序,工艺复杂,成本高,封装后良率偏低,返工需破坏性地拆封。
电磁炉、变频器、逆变器、UPS电源、EPS电源、开关电源、电机控制、变焊机、固态继电器、有源滤波器、风力发电设备、工业传动装置、电梯或传动设备、机车与列车用电源、电能表、照明电器等各种产品上。
晶闸管特点“一触即发”。但是,如果阳极或控制极外加的是反向电压,晶闸管就不能导通。控制极的作用是通过外加正向触发脉冲使晶闸管导通,却不能使它关断。那么,用什么方法才能使导通的晶闸管关断呢?使导通的晶闸管关断,可以断开阳极电源(图3中的开关S)或使阳极电流小于维持导通的小值(称为维持电流)。如果晶闸管阳极和阴极之间外加的是交流电压或脉动直流电压,那么,在电压过零时,晶闸管会自行关断。
电磁炉、变频器、逆变器、UPS电源、EPS电源、开关电源、电机控制、变焊机、固态继电器、有源滤波器、风力发电设备、工业传动装置、电梯或传动设备、机车与列车用电源、电能表、照明电器等各种产品上。