品牌STANSON型号STP4435参数P30V10A台产MOS替代Si4435AO4405E

STP4435可替代型号：

STP4435A替代Si9804、AO4419、AO4411、Si4425、Si4435、Si4431、AO4405E、AO4449、FDS8435、FDS4435、FDS6675、AO4405、Si4431CDY、SM4310PSK、SM4915PSK、AO4415、AO4459

产品描述
STP4435是P沟道增强型功率场效应晶体管逻辑
它是利用高密度，DMOS器件沟道技术。这种高密度
过程是特别定制，以尽量减少对国家的阻力。这些器件
特别适合于低电压应用，如液晶显示器背光，笔记本电脑等
计算机电源管理和其他电池供电电路。

产品参数

-30V / -9.2a，RDS（ON）= - 22mΩ（典型值 )

@ VGS = - 10V

-30V / -7.0a RDS（ON）＝30mΩ

@ VGS = 4.5v

密度电池设计极低的RDS（on）特殊的阻力和大值直流电流的能力

SOP-8封装设计

产品规格书：