河北铜电化学沉积的动态硅通孔填充⼯艺晶圆

TSV 填充
TSV 填充电镀铜有三种⽅法:
共形电镀，自下⽽上的密封凸点电镀， 和超共形电镀。电镀⽅法是以各种三维
集成应用为基础的。总的来说， TSV 的结构是深度在 10 到 200μm 之前的典型
的圆柱形孔。TSV 的深度 取决于芯片或晶圆键合时的所需厚度，⽽ TSV 纵横
比的⼤小则由介电 膜、阻挡层和种⼦层和填充过程决定的。

STYCAST 2561/CAT 11
乐泰 STYCAST 2651MM/CATALYST 23LV
乐泰 STYCAST 2651MM/CATALYST 9
乐泰 STYCAST 2850FT/CAT 11
乐泰 STYCAST 2850FT/CAT 23 LV
乐泰 STYCAST 2850KT/CATALYST 9
乐泰 STYCAST 2850MT/CATALYST 24LV
乐泰 STYCAST 50500D
乐泰 STYCAST A312
乐泰 STYCAST E1070
乐泰 STYCAST E1847
乐泰 STYCAST EFF15 SYNTACTIC FOAM POWDER
乐泰 STYCAST U2500
LOCTITE ABLESTIK 104
LOCTITE ABLESTIK 16-1
LOCTITE ABLESTIK 2000
LOCTITE ABLESTIK 2000B
LOCTITE ABLESTIK 2000T
LOCTITE ABLESTIK 2025D
LOCTITE ABLESTIK 2025DSI
LOCTITE ABLESTIK 2030SC
LOCTITE ABLESTIK 2035SC

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