STM8S103F2U6TR,ST意法集成电路单片机

主营产品：MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。
STM8S003F3P6TR规格描述：
STM8S003F3/K3 value line 8位微控制器提供8k字节的闪存程序存储器，以及集成的真数据EEPROM。在STM8S微控制器系列参考手册(RM0016)中，它们被称为低密度器件。
STM8S003F3/K3 value line器件具有以下优势:性能、稳定性和降低的系统成本。

以下是ST意法部分型号：
STM8S003F3P6TR
STM32F103VCT6
STM32F030C8T6
STM32F429ZGT6
STM32F103C8T6
VN7050ASTR
VNLD5300TR-E
VNQ7003SYTR
STPS2H100U
ST1S14PHR
ST1480ABDR
SPC584C70E3FMC0X
如需了解更多品牌，产品型号规格请咨询我们的销售人员。

LD3985M28R与低ESR电容兼容的低压降低噪声BiCMOS稳压器:
LD3985 在 2.5 V 至 6 V 输入电压范围内提供高达 150 mA 的电流。低压降、低静态电流和低噪声使其适用于低功耗应用和电池供电系统。稳压器接地电流仅在压差时略有增加，从而延长了电池寿命。
电源抑制在低频时优于60 dB，在10 kHz时滚降。高电源抑制保持在电池供电电路常见的低输入电压电平。提供关断逻辑控制功能，这意味着当器件用作本地稳压器时，可以将电路板的一部分置于待机状态，从而降低总功耗。LD3985 设计用于低 ESR 陶瓷电容器。典型应用是移动电话和类似的电池供电无线系统。
STM32G473xB/xC/xE器件基于Arm® Cortex-M4® 32位RISC内核。它们的工作频率高达 170 MHz。
Cortex-M4内核具有单精度浮点单元（FPU），支持所有Arm单精度数据处理指令和所有数据类型。它还实现了一整套DSP（数字信号处理）指令和存储器保护单元（MPU），从而增强了应用的安全性。
这些器件嵌入了高速存储器（512 KB 闪存和 128 KB SRAM）、用于静态存储器的灵活外部存储器控制器 （FSMC）（适用于具有 100 引脚及更多引脚封装的设备）、四通道 SPI 闪存接口以及连接到两条 APB 总线、两条 AHB 总线和一个 32 位多 AHB 总线矩阵的各种增强型 I/O 和外设。
ST意法部分型号：
STM32F401RDT6TR
STM32F429ZIT6
STM32F765IIK6
STM8AF6246UCX
STM32F429VIT6
STM32L471VET6TR
STM32F205VGT7
STM32G431KBU3
STM32F469AIH6
STM32G474RET3
STM32F303CBT7
STM32G473RCT6
ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，更多产品型号规格请咨询我们的销售人员。

主营产品：MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。
STM32F103VBT6特性：
这些器件采用2.0至3.6 V电源供电。它们的工作温度范围为–40至+85°C和–40至+105°C扩展温度范围。一套全面的省电模式允许设计低功耗应用。
STM32F103xx中密度系列包括六种不同封装类型的器件:从36引脚到100引脚。根据所选的器件，包括不同的外设集，下面的描述概述了该系列中建议的所有外设。
这些特性使STM32F103xx中密度系列微控制器适合各种应用，如电机驱动、应用控制、医疗和手持设备、PC和游戏外设、GPS平台、工业应用、PLC、逆变器、打印机、扫描仪、报警系统、视频对讲机和HVACs。
其他更多型号：
STM32F401CBU6
STM32F400RBT6
VNH5019ATR-E
VND7004AYTR
VNI8200XPTR
VNN1NV04PTR-E
VN5E050AJTR-E
VNQ5E050AKTR-E
VND5T016ASPTR-E
VNL5090S5TR-E
VN5T006ASPTR-E
VND5050AKTR-E
VN5T016AHTR-E
VND5012AKTR-E
VNQ5027AKTR-E
ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，以信用为基石，诚意合作。如需了解更多品牌，产品型号规格请咨询我们的销售人员。