SI4925DDY-T1-GE3原装

标准包装：2500，1
包装类型：带卷 (TR)，剪切带 (CT)，Digi-Reel®
RoHS规范：无铅 /环保型
产品描述：MOSFET P-CH DUAL 30V 8-SOIC
FET 类型：2 个 P 沟道（双）
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：8A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（大值）：29 毫欧 @ 7.3A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：50nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1350pF @ 15V
功率 - 大值：5W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC N

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