供应泰德TDM3518MOS管N沟道DFN3.33.3-8封装

N沟道增强型MOSFET TDM3518

描述
该TDM3518采用的沟槽技术
提供的RDS（ON）和低门电荷。 这个
装置是适合用作负载开关或在PWM
应用。
一般特征
RDS（ON）<3.1mΩ@ VGS = 4.5V
RDS（ON）<1.8MΩ@ VGS =10V
高功率和电流处理能力
表面贴装封装
可提供无铅和绿色器件（符合RoHS标准）
应用
PWM应用
负载开关
电源管理
动力系统