描述 TDM3408采用的沟槽技术 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这个 器件适合用作负载开关或PWM 应用。 一般特征 RDS(ON)<17.5mΩ@ VGS = 4.5V RDS(ON)<10.8mΩ@ VGS = 10V 高功率和电流处理能力 ESD保护 提供无铅产品 表面贴装封装 应用 PWM应用 负载开关 电源管理
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MOS管mosfet稳压MOSFET
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