三脚肖特基二极管广东肖特基二极管银联宝科技

银联宝肖特基PFC广泛应用于开关电源、变频器、驱动器、笔记本电脑的电源适配器、液晶电视和液晶显示器电源、电动车电瓶充电器以及数字接收机的电源等等 PFC广泛应用于开关电源、变频器、驱动器、笔记本电脑的电源适配器、液晶电视和液晶显示器电源、电动车电瓶充电器以及数字收机电源等等 产品说明 请来电咨询！查看一下相关资料 Part number <超链接>TypeVF LevelDieIF (A)VB (V)VF(V) 25℃IR(uA) 25℃VF(V) 125℃IR(mA) 125℃PackageIFSM(A)Tj (℃)P5L45F-AMOS SchottkyL15450.51300TBD35SMAF-A150-65~150PFS5L40MOS SchottkyL15400.475000.4100DO-201AD150-65~150PFS5A60MOS SchottkyA15600.65000.56100DO-201AD150-65~150PTS5L100SLVF SchottkyL 151000.782000.6915DO-201AD130-40~150PFS5L150MOS SchottkyL151500.861000.7320DO-201AD150-65~150PFS5L200MOS SchottkyL152000.891000.7610DO-201AD150-65~175P10V45SPMOS SchottkyV110450.473000.4275TO-277275-65~150PFS10L60MOS SchottkyL110600.565000.53100DO-201AD200-65~150PFR10L60CTMOS SchottkyL210600.525000.47100TO-220AB150-65~150PTR10100CTBSLVF SchottkyS2101000.791000.6915TO-263AB100-40~150PFR10L200CTFMOS SchottkyL2102000.861000.7610ITO-220AB150-65~175PFR10L300CTFMOS SchottkyL2103000.921000.810ITO-220AB150-65~175P15V50SPMOS SchottkyV115500.515000.49100TO-277275-65~150PFR2045CTMOS SchottkyS220450.545000.52100TO-220AB150-65~150PFR20V45CTMOS SchottkyV220450.475000.42100TO-220AB180-65~150PFR2060CTFMOS SchottkyS220600.75000.65100ITO-220AB150-65~150PTR20L80CTSLVF SchottkyL220800.673000.6420TO-220AB150-40~150PTR20100CTBSLVF SchottkyS2201000.821000.725TO-263AB150-40~150PTR20100CTSLVF SchottkyS2201000.821000.725TO-220AB150-40~150PTR20100CTFSLVF SchottkyS2201000.821000.725ITO-220AB150-40~150PTR20L100CTSLVF SchottkyL2201000.792000.6622TO-220AB150-40~150PT20L100DSLVF SchottkyL2201000.791000.6830TO-252180-40~150PTR20V100CTSLVF SchottkyV2201000.671000.640TO-220AB150-40~150PFR20L200CTMOS SchottkyL2202000.861000.7610TO-220AB180-65~175PFR30L60CTFMOS SchottkyL230600.65000.56100ITO-220AB250-65~150PTR30L80CTSLVF SchottkyL230800.72000.6130TO-220AB220-40~150PTR30L80CTFSLVF SchottkyL230800.72000.6130ITO-220AB220-40~150 深圳市银联宝电子科技有限公司是一家专注电源应用方案芯片供应商，针对中小电源厂细分市场提供电源DEMO设计整套方案，帮助客户作方案认证，EMI测试调机，样机测试承认，小批量产跟线服务，批量出厂后质量反馈跟踪。 MOS管应用3，双电压应用在一些控制电路中，逻辑部分使用典型的5V或者3.3V数字电压，而功率部分使用12V甚至更高的电压。两个电压采用共地方式连接。这就提出一个要求，需要使用一个电路，让低压侧能够有效的控制高压侧的MOS管，同时高压侧的MOS管也同样会面对1和2中提到的问题。在这三种情况下，图腾柱结构无法满足输出要求，而很多现成的MOS驱动IC，似乎也没有包含gate电压限制的结构。 在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF较低 在相同的额定VR、VF和IF下，电流密度较大 在相同的EPI和晶片尺寸下，漏电电流较少 在较高的反向电压下，开关速度更快 电子元器件技术的快速发展和可靠性的提高奠定了现代电子装备的基础，元器件可靠性工作的根本任务是提高元器件的可靠性。因此，重视和加快发展元器件的可靠性分析工作，通过分析确定失效机理，找出失效原因，反馈给设计、制造和使用，共同研究和实施纠正措施，提高电子元器件的可靠性。