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BLM8205B金属氧化物半导体场效应管
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- 面议
- 2018-05-18 19:35:18
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信息介绍
详细参数
BLM8205B采用的沟槽技术，提供的RDS (ON)、低栅极电荷和低至2.5v的栅极电压。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
一般特征
● VDS = 20V,ID = 6A
RDS(ON) < 16mΩ @ VGS=4.5V
RDS(ON) < 19mΩ @ VGS=2.5V
●高功率和电流处理能力
●获得无铅产品
●表面贴装封装
应用
●电池保护
●负载开关
●电源管理
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