DS1230Y-200+

DS1230Y-200+ DIP-28 计时时钟模块 SRAM 内存 静态随机存储器
描述
在DS1230 256K非易失性SRAM是262,144位，全静态非易失SRAM的组织结构32,768字由8位。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路连续监视VCC对于超出容限。当这种情况发生时，该锂电池便自动接通，写保护将无条件使能，防止数据损坏。 DIP封装的DS1230器件可用于现有的32k x 8静态到位RAM，符合流行的单字节宽， 28引脚DIP标准。该DIP器件还符合引出线28256的EEPROM ，可直接替换并增强其性能。 DS1230设备在小尺寸模块封装专为表面贴装应用而设计的。没有限制上，能够被执行并且没有额外的支持电路所需的写入周期数微处理器接口。
特点
在10年来低的数据保留没有外部电源的数据电源时自动保护损失替换为32K x 8易失静态RAM ，EEPROM或闪存存储器没有写次数限制低功耗CMOS读取和写入存取时间快70纳秒锂能源电断开，维持保鲜状态，直到电源施加满±10%VCC工作范围（ DS1230Y ）可选±5%VCC工作范围(DS1230AB)可选的工业级温度范围-40 ° C至+ 85°C ，为INDJEDEC标准的28引脚DIP封装新PowerCap模块（ PCM ）封装- 表面贴装模块- 可更换的即时安装PowerCap提供备用锂电池- 标准引脚所有非易失SRAM产品- 分离的PowerCap允许拆卸方便使用普通螺丝刀