大直径晶片的清洗采用上述方法不好其清洗过程的完成,通常采用单晶片清洗法,其清洗过程是在室温下重复利用DI-O 3/DHF清洗液,臭氧化的DI水(DI-O3 )产生氧化硅,稀释的HF蚀刻氧化硅,同时清除颗粒和金属污染物。根据蚀刻和氧化的要求采用较短的喷淋时间就可获得好的清洗效果,不会发生交叉污染。后冲洗不是采用DI水就是采用臭氧化DI水。为了避免水渍,采用浓缩大量氮气的异丙基乙醇(IPA)进行干燥处理。单晶片清洗具有或者比改良的RCA清洗更好的清洗效果,清洗过程中通过采用DI水及HF的再循环利用,降低化学品的消耗量,提高晶片成本效益。
硅片清洗花篮及提把耐强酸,强碱,耐有机溶剂,质地柔软,不损伤硅片,不沾污硅片。专为半导体光伏光电等行业设计的,一体成型,无需担心漏液。主要用于浸泡、清洗带芯片硅片电池片的花篮。由于PFA的特点它能耐受清洗溶液的腐蚀性,同时金属元素空白值低,无溶出无析出,不会污染芯片晶圆等。
PTFE材料具有固体材料中小的表面张力,不粘附任何物质,同时还具有耐高低温优良的特性,从而使其在诸如制造不粘锅的防粘方面的应用非常广泛。其防粘工艺主要包括两种:把PTFE部件或薄片安装在基体上,以及把PTFE涂层或与玻璃复合的漆布经过热收缩而套在基材上。
随着材料应用技术的不断发展,PTFE材料的三大缺点:冷流性、难焊接性、难熔融加工性正在逐渐被克服,从而使它在光学、电子、医学、石油化工输油防渗等多种领域的应用前景更加广阔。
PTFE能承受除熔融碱金属、氟元素和强氟化介质以及300℃的氢氧化钠以外的所有强酸、强碱、强氧化剂、还原剂等的作用。它的耐化学腐蚀性能超过贵金属、玻璃、陶瓷、搪瓷和合金等, 即使原子能工业中的强腐蚀剂上氟化铀对它也不腐蚀。
除熔融金属钠和液氟外,和一切化学药品不反应。在化工生产中,用做设备衬里、分馏塔、波纹管、泵、阀门、密封垫片等;机械工业上,用做密封件、活塞环、转动轴承等;电子工业上,用于电子计算机信号线绝缘、电缆绝缘、高频电子仪器绝缘以及制造高频电缆、电容器、导线等