株洲中车可控硅模块KPA1500-36

可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 简称SCR，是一种大功率电器元件，也称晶闸管。它具有体积小、、寿命长等优点。在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。
可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。双向可控硅也叫三端双向可控硅，简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接，这种可控硅具有双向导通功能。其通断状态由控制极G决定。在控制极G上加正脉冲(或负脉冲)可使其正向(或反向)导通。这种装置的优点是控制电路简单，没有反向耐压问题，因此特别适合做交流无触点开关使用。

普通晶闸管通常作为相控电流阀用于交流变直流及直流变交流的转换，并在较低的频率中运行（大多都是交流频率）。 在导通状态下，晶闸管低损耗特性，能够有效的控制大电流和高耗能。适用于高压直流输电、牵引与传动、静止无功补偿、感应加热、软启动、电力电源、电机控制、电力开关等领域。
半导体事业部是株洲中车时代电气股份有限公司（香港上市，HK3898）下属的核心业务单位，从事大功率半导体器件的研发与制造，是我国早开发大功率半导体器件的单位之一。现已成为我国一家全面掌握了晶闸管、IGCT、IGBT及功率组件全套技术，能为用户提供全面系统的半导体解决方案的厂家。产品技术水平、产业化规模、市场影响力均处于国内地位，且有很强的国际影响。

2008年，成功并购的半导体器件立供应商——加拿大丹尼克斯电力电子股份有限公司，2010年在英国设立功率半导体海外研发中心，形成公司大功率半导体器件产业化的国际化布局。

基于的技术和完整的产业化平台，公司是世界家推出商用HVDC 6英寸晶闸管，第三家自主拥有IGCT器件，国内研发出高压IGBT/FRD芯片与模块的企业，拥有功率半导体芯片—模块—装置—系统完整产业链。

当前，公司是新型功率半导体器件国家实验室、国家能源大功率电力电子器件研发中心的依托单位，中国IGBT技术创新与产业联盟理事长单位。公司积极承担或参与国家重大专项（02专项）、国家863计划等国家各类重大科研项目。在海外，公司是欧洲电力电子学会副单位，与GE交通、GE-阿尔斯通、施耐德、美国电力电子系统研究中心（CPES）、剑桥大学、牛津大学、诺丁汉大学、华威大学等开展了多层次合作。

公司建立了ISO9001、EHS14001、OHSAS18001体系，通过了IRIS质量体系、TS16949（汽车行业质量管理）等体系认证，致力于以的产品解决方案和服务，满足客户需求。