光告警信号显示设备上-IH-048网络变压器有哪些型号

光告警信号显示设备上
IH-048网络变压器有哪些型号

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<strong>主营产品型号</strong>：
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<strong>主营产品类型</strong>：
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MOSFET的栅极材料缺点<br />
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&emsp;&emsp;不过多晶硅虽然在过去二十年是制造MOSFET栅极的标准，但也有若干缺点使得未来仍然有部份MOSFET可能使用金属栅极，这些缺点如下：<br />
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&emsp;&emsp;1. 多晶硅导电性不如金属，限制了讯号传递的速度。虽然可以利用掺杂的方式改善其导电性，但成效仍然有限。目前有些融点比较高的金属材料如：钨(Tungsten)、钛(Titanium)、钴(Cobalt)或是镍(Nickel)被用来和多晶硅制成合金。这类混合材料通常称为金属硅化物(silicide)。加上了金属硅化物的多晶硅栅极有著比较好的导电特性，而且又能够耐受高温制程。此外因为金属硅化物的位置是在栅极表面，离通道区较远，所以也不会对MOSFET的临界电压造成太大影响。<br />
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&emsp;&emsp;在栅极、源极与漏极都镀上金属硅化物的制程称为“自我对准金属硅化物制程”(Self-Aligned Silicide)，通常简称salicide制程。<br />
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&emsp;&emsp;2. 当MOSFET的尺寸缩的非常小、栅极氧化层也变得非常薄时，例如现在的制程可以把氧化层缩到一纳米左右的厚度，一种过去没有发现的现象也随之产生，这种现象称为“多晶硅空乏”。当MOSFET的反转层形成时，有多晶硅空乏现象的MOSFET栅极多晶硅靠近氧化层处，会出现一个空乏层(depletion layer)，影响MOSFET导通的特性。要解决这种问题，金属栅极是好的方案。目前可行的材料包括钽(Tantalum)、钨、氮化钽(Tantalum Nitride)，或是氮化钛(Titalium Nitride)。这些金属栅极通常和高介电常数物质形成的氧化层一起构成MOS电容。另外一种解决方案是将多晶硅完全的合金化，称为FUSI(FUlly-SIlicide polysilicon gate)制程。<br />
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