FDMQ8203，场效应管(MOSFET)ON原装优势供应商

NTHL027N65S3HF功率场效应管， MOSFET， N沟道， SUPERFET III， FRFET， 650 V， 75 A， 27.4 mΩ， TO-247®®

功率场效应管， MOSFET， N沟道， SUPERFET III， FRFET， 650 V， 75 A， 27.4 mΩ， TO-247®®
SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体全新的高压超结 （SJ） MOSFET 系列，该系列采用电荷平衡技术，具有出色的低导通电阻和更低的栅极电荷性能。这种的技术旨在大限度地降低传导损耗，提供的开关性能，并承受极端的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET 非常适合各种小型化和更率的电源系统。SUPERFET III FRFET MOSFET优化的体二极管反向恢复性能可以去除额外的组件并提高系统可靠性。
CAT811TTBI-GT3
CAT811 和 CAT812 是微处理器监控电路，用于监控数字系统中的电源。CAT811 和 CAT812 是 MAX811 和 MAX812 的直接替代产品，工作在工业温度范围内;两者都具有手动复位输入。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NCV8177BMX330TCG
LP2950CDT-5.0RKG
MC100EL1648DTR2G
LM2575D2T-ADJR4G
LM2575D2T-ADJR4G
NCV891930MW01R2G
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NCP1380DDR2G简述：
NCP1380是一款器件，旨在为准谐振转换器供电。该控制器利用专有的谷值锁定系统，随着功率负载变轻而换档并降低开关频率。尽管开关事件总是在漏源谷触发，但仍能实现稳定运行。该系统工作到第 4 谷，并切换到变频模式，确保出色的待机功率性能。为了提高过载情况下的安全性，该控制器包括一个过功率保护 （OPP） 电路，该电路将输送的功率箝位在高压线路上。在安全方面，固定的内部定时器依靠反馈电压来检测故障。定时器结束后，控制器停止并保持选项 A 和 C 的锁定状态，或进入选项 B 和 D 的自动恢复模式。 该控制器特别适用于适配器应用，其引脚可实现组合过压/过热保护（A 和 B 型）或组合掉压/过压保护（C 和 D 型）。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
FGY120T65SPD-F085
FGH40T65SHDF-F155
FCHD040N65S3-F155
NVD5117PLT4G-VF01
NTMFS002P03P8ZT1G
NVMFS5C410NLAFT1G
NVMFS3D6N10MCLT1G
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NCV8405ASTT1G简述：
NCV8405是一款三端子保护的低侧智能分立器件。保护功能包括过流、过热、ESD 和用于过压保护的集成漏极至栅极箝位。该器件适用于恶劣的汽车环境。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NTMFS0D9N03CGT1G
NTMFS1D7N03CGT1G
NTTFD4D0N04HLTWG
NTTFS002N04CLTAG
NTTFS3D7N06HLTWG
NVATS5A113PLZT4G
NVMFD5483NLWFT3G
NVMFD5485NLWFT1G
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