MGF4964BL-01微X型塑料封装高增益发射距离

<低噪音GaAs HEMT >：MGF4964BL-01：
1、设计用于K波段放大器；
2、微X型塑料封装。

MGF4964BL-01低噪声 InGaAs HEMT(高电子迁移率晶体管)设计用于K波段放大器。。。

MGF4964BL-01特征：
f=20GHz NFmin 时的低噪声系数。=0.65 分贝(典型值)
f=20GHz 时的高相关增益 Gs =13.5dB(典型值。)

MGF4964BL-01应用：
c 至K波段低噪声放大器

MGF4964BL-01偏置条件
VDS=2V，内径=10mA


MGF4964BL-01包装信息
磁带和卷轴 4000 个/卷轴

低噪声
主要用于无线通信系统（如无线电、移动通信、卫星通信等），其中接收机需要将微弱的无线信号放大到足够的强度以供后续处理。

低噪声放大器芯片通过优化电路设计和使用的材料来实现低噪声放大功能。低噪声放大器芯片种能够将输入信号放大，并且对于噪声的干扰小化的放大
低噪声放大器的设计目标是将噪声功率降到小，以提高信号与噪声之间的信噪比。为了实现这一目标，低噪声放大器通常会采取以下措施：