W25Q64FWZPIQ，WINBOND/华邦存储芯片

W25Q32JV（
32M位）串行闪存为空间、引脚和功率有限的系统提供了一个存储解决方案。25Q系列提供的灵活性和
性能远远超过普通的系列闪存设备。它们是理想的代码阴影到RAM，直接从双/四轴SPI（
XIP）执行代码，并存储
语音、文本和数据。该设备运行在一个2.7V到3.6V的电源与1µA断电。所有的设备都有节省空间的套餐。
W25Q32JV阵列被组织成16,384个可编程页，每页有256字节。一次多可以编程256个字节。页面可分为16组(4KB
扇区清除）、128组(32KB块删除）、256组(64KB块删除）或整个芯片（芯片清除）。W25Q32JV分别有1,024个可
擦除扇区和64个可擦除块。小型的4KB扇区允许在需要数据和参数存储的应用程序中具有更大的灵活性。
WINBOND/华邦其他部分型号：
W19B160BBT7H W24L257S70LL
W19B320ABT7H W256128JVSIQ
W19L320STT9C W25D40VNIG
W241024AI-15 W25D40VSSIG
W24129AS-35 W25D80SCP
W24257AJ-15 W25D80VSSIG
W24257AS-35 W25H512JVFAM
W24258-70LL W25LQ32DWIG
W2465AJ-15 W25M02GVZEIG
W2465S-70LL W25M02GWZEIG
WINBOND/华邦常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，如需了解更多品牌，产品型号规格请咨询我们的销售人员。

W968D6DAGX7I
256M位CellularRAM™兼容产品，组织为16M字乘16位;专为低功耗便携式应用开发的高速CMOS伪静态随机存取存储器。
密度：256兆字节
Vcc： 1.8V/1.8V
频率：大时钟频率 133 MHz
封装：54VFBGA 温度范围：工业-40C~85C
功能列表：支持异步和突发操作， 随机存取时间：70ns，突发模式
读写访问：4、8、16 或 32 字，
或连续突发， 突发换行或顺序， tACLK：133 MHz 时为 5.5ns，104 MHz 时为 7ns，
低功耗特性：TCR、PAR、DPD
WINBOND/华邦其他部分型号：
W25M512JVEIQ W25P16VSSIG
W25M512JVEJQ W25P20VSNIG
W25M512JVFIQ W25P240AF-6
W25N01GVZEIG W25P243AF-4A
W25N01GVZEIGTR W25P40VSNIG
W25N01GVZEIR W25Q1218BVFG
W25N01GVZEJG W25Q128BVEG
W25N01GWZEIG W25Q128BVEIG
W25N02JWZEIF W25Q128BVEIM
W25N02KVZEIR W25Q128BVFG
W25N02KVZEIRT W25Q128BVFIG
W25N512GWEKR W25Q128FVBIP
W25P16VSIG W25Q128FVEG
WINBOND/华邦常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，如需了解更多品牌，产品型号规格请咨询我们的销售人员。

W988D6FBGX7I
Winbond 256Mb低功率SDRAM是一种低功率同步存储器，包含268,435,456个由Winbond工艺技术制造的存储单元。它的设计是比普通的SDRAM消耗更少的功率，低功率功能的必要条件，使用电池的应用。它可在两个组织提供： 2,097,152字×4银行×32位或4,194,304字×4银行×16位。该设备以完全同步的模式运行，输出数据被同步到系统时钟的正边缘，并能够以高达166MHz的时钟速率传输数据。该设备支持特殊的低功耗功能，如部分阵列自刷新（PASR）和自动温度补偿自刷新（ATCSR）。低功耗SDRAM适用于2.5G / 3G手机、PDA、数码相机、移动游戏机和其他需要大内存密度和低功耗的手持应用程序。设备从1.8V电源运行，支持1.8V LVCMOS总线接口。
WINBOND/华邦同系列其他型号：
W988D6FBGX6
W988D6FBGX6E
W988D6FBGX7E
W988D6FBGX7G
W988D6FBGX71
W988D2FBJX6
W988D2FBJX7E
W988D2FBJX7G
W988D2FBJX6E
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主营产品：MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。详情请或联系。
W25Q128JVEIQ128M 位串行闪存，具有统一的 4KB 扇区和双/四通道 SPI
一般说明 W25Q128JV（128M 位）串行闪存为空间、引脚和功耗有限的系统提供存储解决方案。25Q 系列提供的灵活性和性能远远超过普通串行闪存设备。它们非常适合将代码影子复制到 RAM，直接从双/四通道 SPI （XIP） 执行代码并存储语音、文本和数据。该器件采用 2.7V 至 3.6V 单电源供电，关断时电流消耗低至 1μA。所有器件均采用节省空间的封装。
WINBOND/华邦其他部分型号：
W25Q128FWSIG W25Q128JVFIQ
W25Q128FWSIQ W25Q128JVPIQ
W25Q128FWSQ W25Q128JVSAQ
W25Q128FWXR W25Q128JVSIM
W25Q128FWYIC W25Q128JVSIMTR
W25Q128JVBIQ W25Q128JVSIQ
W25Q128JVCIM W25Q128JVSIQTR
W25Q128JVEIQ W25Q128JVSQ
W25Q128JVEQ W25Q128JVSSIQ
W25Q128JVFIM W25Q128JWEIQ
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W29N02GV系列产品说明：
2G 位 3.3V NAND 闪存，2Gb SLC NAND Flash Memory with uniform 2KB+64B page size
同系列型号：
W29N02GVSIAA
W29N02GVBJAA
W29N02GVBIAF
W29N02GVBIAA
一般描述 ：W29N02GV（2G 位）NAND 闪存为空间、引脚和功耗有限的嵌入式系统提供存储解决方案。它是 RAM、固态应用程序的代码阴影和存储媒体数据（如语音、视频、文本和照片）的理想选择。该器件采用 2.7V 至 3.6V 单电源供电，3V 时有功电流消耗低至 25mA，CMOS 待机电流为 10uA。 内存阵列总计 276，824，064 字节，并组织成 2，048 个 135，168 字节的可擦除块。 每个块由 64 个可编程页面组成，每个页面 2，112 字节。每个页面由主数据存储区域的 2，048 字节和备用数据区域的 64 字节组成（备用区域通常用于错误管理功能）。 W29N02GV 支持标准 NAND 闪存接口，使用多路复用 8 位总线传输数据、地址和命令指令。五个控制信号（CLE、ALE、#CE、#RE和#WE处理总线接口协议。此外，该器件还有另外两个信号引脚，#WP（写保护）和 RY/#BY（就绪/忙碌），用于监控器件状态。
WINBOND/华邦其他部分型号：
W25Q32FVTCIG W25Q32JVSSIQ
W25Q32FVTCIP W25Q32JVSSIQT
W25Q32FVZPIG W25Q32JVSSIQ-T
W25Q32FWBYIC W25Q32JVTBIQ
W25Q32FWIG W25Q32JVTCIM
W25Q32FWSSAQ W25Q32JVTCIQ
W25Q32FWSSIG W25Q32JVXGIQ
W25Q32FWXGIG W25Q32JVZEIQ
W25Q32FWZPIG W25Q32JVZPAQ
W25Q32JVSIQ W25Q32JVZPIG
W25Q32JVSNIQ W25Q32JVZPIM
W25Q32JVSSAM W25Q32JVZPIQ
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W74M12JW：W74M产品不但能够让系统设计人员强化程序和资料存储的安全，也可以提供物联网周边设备连到云端的安全性，以及多层次的物联网设备的安全认证。此系列的安全产品也提高了网关、传感器、智慧门铃、网路摄影机和其他新兴设备的安全性。
WINBOND/华邦其他部分型号：
W25Q40EWUXIE W25Q64CVSFIG
W25Q512JVEIQ W25Q64CVSFSG
W25Q512JVEIQT W25Q64CVSIG
W25Q512JVFIM W25Q64CVSSIG
W25Q512JVFIQ W25Q64CVSTIM
W25Q64BVFIG W25Q64CVZEIG
W25Q64BVSSI W25Q64CVZESG
W25Q64BVSSIG W25Q64CVZPAG
W25Q64CVCIP W25Q64CVZPIG
W25Q64CVFIG W25Q64DWIG
W25Q64CVIG W25Q64DWSIG
主营产品：MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。公司承诺所售产品均为原装，更多信息请或电话咨询我们的销售人员。