TLV751120280PDSQR，TI原装集成电路

TAS5548DCAR
具有集成 ASRC 和音频处理器的 96KHz PWM 调制器
音频输入或输出
多达 5 个同步串行音频输入（10 个通道）
多达 1 个同步串行音频输出（2 个通道）
当与外部晶振一起使用时的 I2S 主控模式
具有自动/手工采样速率检测的受控模式 32-192kHz
8 个可支持 AD 或 BD 调制的差分 PWM 输出
两个差分 PWM 头戴式耳机输出
针对外部无线子
PWM 输出的 I2S 支持单端 (S.E.) 或桥接负载 (BTL)
TPS54361QDPRRQ1
正在供货
具有软启动功能的 4.5V 至 60V 输入、3.5A、降压直流/直流转换器
TPS54361-Q1 的说明
TPS54361-Q1 器件是一款 60V，3.5A，降压稳压器，此稳压器具有一个集成的高侧金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。按照 ISO 7637 标准，此器件能够耐受的抛负载脉冲高达 65V。电流模式控制提供了简单的外部补偿和灵活的组件选择。低纹波脉冲跳跃模式和 152µA 的电源电流可在轻负载时实现率。当使能引脚被拉至低电平时，关断电源电流被减少至 2µA。

SN74HC595PWR
具有三态输出寄存器的 8 位移位寄存器
TI德州仪器逻辑 IC产品其他部分型号：
SN74HCT541DWR SN74HCS574QPWRQ1
SN74HCS264QDRQ1 SN74HC138DR
SN74HC365DR SN74HC21DR
SN74HCS08QDRQ1 SN74HC00PWR
SN74HCT08DR SN74HC08QDRQ1
SN74HC14DBR SN74HCT245DWR
SN74HCT00DR SN74HCS08PWR
SN74HCS08QDYYRQ1 SN74HC00DR
SN74HC164DR SN74HC74DR
SN74HC573NSR SN74HCS7266PWR
SN74HCS09QDRQ1 SN74HC04PWR
SN74HC14DR SN74HC393NSR
更多产品型号请联系咨询

TI德州仪器逻辑 IC产品分类：
总线终端阵列
数字算术 IC
数字多路信号分离器和解码器
数字多路复用器和编码器
数字计时 IC
FIFO 内存 IC
单稳多谐振荡器（单稳态）
可编程逻辑电路
应用（包括汽车、工业和个人电子产品）
部分罗辑IC型号:
SN74HC541N SN74HC42DR
SN74HC540PWR SN74HC595PWR
SN74HC21QPWRQ1 SN74HC08DR
SN74HC126PWR SN74HCS14BQAR
SN74HCS14DR SN74HC4060PWR
SN74HCT373N SN74HC4851QDRQ1
SN74HC02DBR SN74HC04N
SN74HC27N SN74HCT244NSR
SN74HCT00D SN74HC563DWR
SN74HC14PWR SN74HC595N
SN74HC595DR SN74HC595DBR
SN74HC125DR SN74HC14QDRQ1
SN74HC273NSR SN74HC4851PWR
SN74HC244NSR SN74HC157DR
SN74HC373NSR SN74HC126PWT

部分产品特性：
SN74HCT541DWR
具有 TTL 兼容型 CMOS 输入和三态输出的 8 通道、4.5V 至 5.5V 缓冲器
SN74HCT08DR
具有 TTL 兼容型 CMOS 输入的 4 通道、2 输入、4.5V 至 5.5V 与门

TI德州仪器MOSFET管:
CSD18511KCS 的特性
低 Qg 和 Qgd
低 RDS(ON)
低热阻
雪崩额定值
无铅引脚镀层
符合 RoHS 环保标准
无卤素
晶体管 (TO)-220 塑料封装
CSD25501F3 - 采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18511KCS - 采用 TO-220 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18511KTT - 采用 D2PAK 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD87503Q3E - 采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、21.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17318Q2 - 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、16.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD22205L - 采用 1.2mm x 1.2mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、9.9mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD22206W - 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、5.7mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

TLIN2029DRQ1
具有显性状态超时故障保护功能的本地互连网络 (LIN) 收发器
休眠模式：低电流消耗支持以下类型的唤醒事件：
LIN 总线
通过 EN 引脚进行的本地唤醒
上电和断电无干扰运行
保护特性：
VSUP 欠压保护
TXD 显性超时 (DTO) 保护
热关断保护
系统级未供电节点或接地断开失效防护。
采用 SOIC (8) 和无引线 VSON (8) 封装，提高了自动光学检测 (AOI) 能力

TPS610987DSER
具有集成 LDO 和 VSUB 有源放电功能的 4.3V 输出电压同步升压转换器
TPS610987 的特性
低功耗模式下具有 300nA 低 IQ
启动至负载（输入电压为 0.7V）
工作输入电压范围为 0.7V 至 4.5V
可选输出电压高达 4.3V
小 350mA 开关峰值电流限制
集成 LDO/负载开关
由 MODE 引脚控制的两种模式
工作模式：两路输出均处于设定值
低功耗模式：LDO/负载开关关闭；升压转换器继续运行