BSS806NH6327，场效应管(MOSFET)英飞凌原装

IRL1404ZSTRLPBF
40V 单 N 沟道六通道 HEXFET 功率 MOSFET，采用 D2Pak 封装
优点：
针对分销合作伙伴提供的广泛可用性进行了优化
符合JEDEC标准的产品认证
逻辑电平：针对 10 V 栅极驱动电压进行了优化，能够支持 4.5 V 栅极驱动电压
行业标准表面贴装电源封装
高载流能力封装（高达 195 A，取决于芯片尺寸）
可进行波峰焊
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
SPP17N80C3
IRF100S201
IRFZ48NPBF
IRL520NPBF
SPA20N60C3
IRL40SC228
IRF3415PBF
IRFZ44VPBF
IRF1407PBF
IRFZ46NPBF
SPW17N80C3
IRF250P225
IRF135S203
IRF200P223
SPA11N60C3
常用型号大量现货，更多型号请咨询，欢迎各方案公司，终端工厂咨询合作！

静电保护_浪涌电压保护：当今的消费电子设备中，静电保护（ESD）对于保障严酷瞬变环境下系统的稳健性至关重要。英飞凌提供多种TVS（瞬变电压抑制）二极管，以从系统层面保护电子设备。
快速增长的芯片级封装系列
英飞凌不断地扩大芯片级封装的TVS二极管系列，力求在超小型封装内，以竞争力的价格提供的保护性能，同时质量水平高，性能稳健。
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
IAUA200N04S5N010
IPW60R037P7XKSA1
BSZ019N03LSATMA1
IPP60R360P7XKSA1
IPB320P10LMATMA1
IPD60R180C7ATMA1
IPP076N15N5AKSA1
IPA90R1K2C3XKSA2
IPD80R4K5P7ATMA1
IPU80R4K5P7AKMA1
BSL606SNH6327XTSA1
IMBF170R1K0M1XTMA1
BSC520N15NS3GATMA1
IMW120R020M1HXKSA1
IPD30N10S3L34ATMA1
英飞凌常用型号常备现货，交货快捷迅速！

AURIX™ TriCore™ 在单个MCU中集成了一个RISC处理器内核、一个微控制器和一个DSP。基于TriCore™ 的产品在汽车中的应用非常广泛，包括内燃机控制、纯电动和混合动力汽车、变速器控制单元、底盘域、制动系统、电动转向系统、安全气囊、联网和驾驶辅助系统，并推动着自动化，电动化以及网联化的发展。AURIX™ 系列还适用于工业应用领域，在优化电机控制应用和信号处理方面非常具有性。
英飞凌广泛的产品组合使得工程师能根据自己所需的存储器、外设、频率、温度和封装挑选合适的产品。并且，所有这些在不同的产品间都具有很高的兼容性。
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
IPB160N04S4-H1
IRFR3709ZTRPBF
IRFS7730TRL7PP
IRFS7534TRLPBF
IRF6215STRLPBF
IPD25N06S4L-30
IRFS4127TRLPBF
IRFR4105ZTRPBF
IRFZ34NSTRLPBF
IRFTS9342TRPBF
IRFR220NTRLPBF
IRFR5410TRRPBF
IRFHS9301TRPBF
IPD70N10S3L-12
IPD30N10S3L-34
常用型号大量现货，更多型号请咨询！

英飞凌 CoolGaN™ 是一种的 GaN （氮化镓）晶体管技术，可在高达 600 V 的电压范围内进行功率转换。凭借在半导体市场上积累的长期经验，英飞凌完善了增强模式方案，并可进行大批量端到端生产。的质量确保的标准，于市场上的一众 GaN HEMT 产品中提供了极为可靠且性能的解决方案。
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
BSC0805LSATMA1
IRFS7530TRLPBF
IRFS4115TRLPBF
IRFS7437TRLPBF
IRFS4321TRLPBF
IRF520NSTRLPBF
IRF3415STRLPBF
IRFS4010TRLPBF
IRLR3410TRLPBF
IRLZ34NSTRLPBF
IRLTS2242TRPBF
IRFS7430TRL7PP
BSC0702LSATMA1
IRLHS2242TRPBF
IRFTS8342TRPBF
我司承诺所有产品均为原装，可提供专项发票。

英飞凌提供多种 P 沟道功率 MOSFET 产品，专为汽车申请，符合 AEC 标准。
P 沟道功率 MOSFET 降低中低功率应用的设计复杂性
P 沟道 MOSFET 使用空穴流作为电荷载流子，其迁移率低于 N 沟道 MOSFET 中使用的电子流。在功能方面，主要区别在于P沟道MOSFET需要从栅极到源极的负电压（V一般事务人员） 导通（与需要正 V 的 N 沟道 MOSFET 相反一般事务人员电压）。这使得P沟道MOSFET成为高边开关的理想选择。设计的简单性有利于空间有限的低压驱动应用和非隔离POL。P沟道MOSFET特性的一大优势是简化的栅极驱动技术，通常可降低总体成本。
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
IRFS4227TRLPBF
IRFR4615TRLPBF
IRFR9120NTRPBF
IPG20N06S4L-26
IRFR4620TRLPBF
IRFML8244TRPBF
IRLR8726TRLPBF
IRLML6302TRPBF
IRLML0040TRPBF
IRLML2030TRPBF
IRFR5305TRLPBF
IRLR2905ZTRPBF
IRFZ44NSTRLPBF
IRLR3110ZTRPBF
IRFS7537TRLPBF
英飞凌各种常用型号大量现货，欢迎咨询合作！手机同号。

汽车场效应管应用
在汽车应用中，MOSFET 用于车身电子、动力总成、底盘和安全、汽车安全、电力驱动排水和信息娱乐系统。
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
IKP20N60TXKSA1
IKW40N120H3FKSA1
IHW30N160R5XKSA1
IKW40N120CS6XKSA1
IKD10N60RFATMA1
BCR420UE6327
BCR421UE6327
BCR402UE6327
ILD6150XUMA1
BCR401UE6327
BCR430U
TLD23313EPXUMA1
TLE7259-3GE
IM69D130V01
BSS159NH6327XTSA2
我们只做原装，每颗芯片经得起检验！