碳化硅作为一种宽禁带半导体材料,比传统的硅基器件具有更的性能。碳化硅的宽禁带(3.26eV)、高临界场(3×106V/cm)和高导热系数(49W/mK)使功率半导体器件效率更高,运行速度更快,能够有效降低产品成本、体积及重量。
碳化硅(SiC)是一种的半导体材料,基于SiC的肖特基二极管(SiC Schottky Diode)具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性,可以在电力电子技术领域打破硅的极限,成为新能源及电力电子的器件。
肖特基二极管是用于功率整流器应用的佳半导体器件,因为这些器件具有高电流密度和低正向电压降,与普通PN结器件的特性不同。这些优点有助于降低热量水平,减少设计中包含的散热器,并提高电子系统的整体效率。