NTMD4840NR2G，场效应管ON/安森美进口原装供货商

CAT4104V-GT3简述：
CAT4104 提供四个匹配的低漏汲电流，可驱动串联的高亮度 LED，每个沟道可高达 175 mA。LED 沟道电流通过联接 RSET 引脚的外部电阻器进行设置。LED 引脚可兼容高 25 V 的高电压，支持带有多个 LED 串联的应用。EN/PWM 逻辑输入支持器件启用和高频外部脉宽调制 (PWM) 调光控制。该器件结合了高温关断保护，可在片温度超过 150°C 时禁用 LED 输出。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
SZ1SMA5929BT3G
SZMMSZ5242BT1G
SZMMSZ5250BT1G
SZMMSZ5260BT1G
SZMMSZ5267BT1G
SZ1SMA5930BT3G
SZMMBZ47VALT1G
SZMMBZ27VALT1G
NSR20F30NXT5G
NRVB140ESFT1G
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NCV8405ASTT1G简述：
NCV8405是一款三端子保护的低侧智能分立器件。保护功能包括过流、过热、ESD 和用于过压保护的集成漏极至栅极箝位。该器件适用于恶劣的汽车环境。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NTMFS0D9N03CGT1G
NTMFS1D7N03CGT1G
NTTFD4D0N04HLTWG
NTTFS002N04CLTAG
NTTFS3D7N06HLTWG
NVATS5A113PLZT4G
NVMFD5483NLWFT3G
NVMFD5485NLWFT1G
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NCP1380DDR2G简述：
NCP1380是一款器件，旨在为准谐振转换器供电。该控制器利用专有的谷值锁定系统，随着功率负载变轻而换档并降低开关频率。尽管开关事件总是在漏源谷触发，但仍能实现稳定运行。该系统工作到第 4 谷，并切换到变频模式，确保出色的待机功率性能。为了提高过载情况下的安全性，该控制器包括一个过功率保护 （OPP） 电路，该电路将输送的功率箝位在高压线路上。在安全方面，固定的内部定时器依靠反馈电压来检测故障。定时器结束后，控制器停止并保持选项 A 和 C 的锁定状态，或进入选项 B 和 D 的自动恢复模式。 该控制器特别适用于适配器应用，其引脚可实现组合过压/过热保护（A 和 B 型）或组合掉压/过压保护（C 和 D 型）。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NVMFS4C310NWFT1G
NVMFS6H836NWFT3G
NVMFS6H858NWFT1G
NVMFSW6D1N08HT1G
NVMFWD016N06CT1G
NVMFWD020N06CT1G
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NCV3063MNTXG
该降压-升压反相开关稳压器由内部温度补偿基准、比较器、带有源电流限制电路的受控占空比振荡器、驱动器和高电流输出开关组成。新功能包括内部热关断保护和逐周期电流限制。该系列设计用于降压（降压）和升压（升压）以及电压反相应用，只需少的外部元件。该NCV3063可用于汽车应用。ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
FAN3225TMX-F085
FAN3229TMX-F085
FDB8442-F085-FS
FDP030N06B-F102
FGD3040G2-F085V
FODM3052V-NF098
FQPF18N50V2SDTU
FSTUD32450GX_NL
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NCP4318BLCDR2G：
NCP4318是一种混合模式，它使用瞬时漏极电压和先前死区时间信息，用于LLC谐振转换器的同步整流（SR）控制器，只需少的外部元件。自适应死区时间控制可补偿感应寄生电感电压，以大限度地提高SR MOSFET导通和效率。多级关断阈值控制和 SR 电流反转检测功能可防止快速负载瞬变期间的反转电流，并允许在整个负载范围内稳定地 SR 操作。此外，为了提高轻载效率，VGATE自适应地从10V降至6V/5V。ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NCV8560SNADJT1G
NCV8606MNADJT2G
NCV8664CST33T3G
NCV8664CST33T3G
NCV8664CST50T3G
NCV8774CDT50RKG
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FDC6330L适用于需要 3V 至 20V 输入和 2.3A 输出电流能力的便携式电子设备中的紧凑型电源管理。该负载开关集成了一个小型 N 沟道功率 MOSFET （Q1），该 MOSFET 在一个微型 SuperSOT-2™ 封装中驱动一个大型 P 沟道功率 MOSFET （Q6）。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NRTS30100MFST3G
NRVBB30H60CTT4G
NRVTS3060MFST3G
NTLJS5D0N03CTAG
NTMFD020N06CT1G
NTMFS4C822NAT1G
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