DT4C纯铁退火、时效真空热处理炉

真空炉VRSF1200型技术参数

一、 设备基本原理及主要用途

1. 设备用途

适用于电子陶瓷与高温结构陶瓷的烧结、玻璃的精密退火与微晶化、晶体的精密退火、陶瓷釉料制备、粉末冶金、纳米材料的烧结、金属零件淬火及一切需快速升温工艺要求的热处理，应用于电子元器件、新型材料及粉体材料的真空气氛处理，材料在惰性气氛环境下进行烧结。本设备具有安全可靠、操作简单、控温精度高、保温效果好、温度范围大、炉膛温度均匀性高等特点。综合性能指标较高，处于国内水平。根据不同的使用气氛及使用温度，使用不同的加热元件，型号，对需在惰性气体环境下烧结的材料，本设备是一个非常好的选择，同时也可满足于不同工艺实验而特殊制造。

2. 设备简介

该真空电阻炉以HRE合金丝为加热元件，采用双层壳体结构30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝材料，双层炉壳间配有风冷系统。炉体采用整体密封，盖板和炉门密封采用高温硅胶板、炉门口安装有真空系统、水冷系统等，气体经过流量计后进入炉体，可以通氩气、氮气等惰性气体，并能抽真空。

二、 主要技术参数

1.极限温度：1200℃

2.工作温度：1100℃

3. 加热功率： 5KW/9KW/15KW

4.加热形式： HRE电阻丝，温场均匀，能耗低

5. 炉膛尺寸： 400mm*200mm*200mm（长方体）

600mm*400mm*400mm

6. 保温材料： 高纯氧化铝微晶体纤维，保温性能好

7. 装料方式： 前侧装料

8. 极限真空度： 6.7x10^(-4) Pa

9. 控制精度： ±1 ℃

10. 热电偶型号：N型

11. 温控控制： 30段程序控温系统，PID控制

12. 内外层炉壳： SECC钢板防锈处理，并经粉体烤漆处理

13. 设备表面温度：≤60℃

14. 数据导出系统：可通过USB将升降温工艺导出，曲线图显示

三、 设备结构特征

此款真空电阻炉主要由炉体、加热保温系统、真空系统、气氛控制系统、水冷系统、电器控制系统等组成。

1. 炉体

炉体采用双层壳体结构，炉内壳体采用整体密封，炉门密封采用高温硅胶板密封、炉口设有水冷系统以保护炉口密封圈，炉壳配有水冷系统，表面温度≤60 ℃。

2. 加热保温系统
3.
加热元件采用合金丝，合理均匀的布置在物料两侧，炉膛采用1800型高纯氧化铝微晶体纤维，保温性能良好。测温元件选用N型热电偶，并配置30段温控仪表，当系统超温时，自动进行声光报警，以进行相应的动作。

3. 真空机组

真空机组采用双机泵。（扩散泵+罗茨泵/机械泵）

真空系统其它辅件有高真空挡板阀（主阀、粗抽阀、前级阀）、冷阱（防止返油）、不锈钢波纹管、放气电磁阀（防止返油）及真空管路等。本系统采用真空机组，具有抽气速度大且极限真空度高的优点。

4.水冷系统

由各种阀、测温装置、水流量计及管道相关装置组成，具有关键位置冷却水超温，

断水声、光报警并执行相应的保护动作，为设备正常稳定运行提供保障。

5.电气控制系统

控制系统主要包括：温度控制、气氛控制、真空控制等。温度控制为PID微电脑自动演算，PV/SV同时显示按键设定移相触发、可控硅控制，控制仪表采用30段程序控温仪表，控制精度高，控制系统采用IEC标准，精选电气元件及测量元件，操作简单易懂。控制系统主要包括：整体控制柜1套。