当一块通有电流的金属或半导体薄片垂直地放在磁场中时，薄片的两端就会产生电位差，这种现象就称为霍尔效应。两端具有的电位差值称为霍尔电势U，其表达式为U=Kk·I·B/d。其中K为霍尔系数，I为薄片中通过的电流，B为外加磁场（洛伦兹力Lorrentz）的磁感应强度，d是薄片的厚度。由此可见，霍尔效应的灵敏度高低与外加磁场的磁感应强度成正比的关系。霍尔开关就属于这种有源磁电转换器件，它是在霍尔效应原理的基础上，利用集成封装和组装工艺制作而成，它可方便的把磁输入信号转换成实际应用中的电信号，同时又具备工业场合实际应用易操作和可靠性的要求。霍尔开关的输入端是以磁感应强度B 来表征的，当B值达到一定的程度（如B1）时，霍尔开关内部的触发器翻转，霍尔开关的输出电平状态也随之翻转。输出端一般采用晶体管输出，和接近开关类似有NPN、PNP、常开型、常闭型、锁存型（双极性）、双信号输出之分。
霍尔开关具有无触点、低功耗、长使用寿命、响应频率高等特点，内部采用树脂封灌成一体化，所以能在各类恶劣环境下可靠的工作。霍尔开关可应用于接近开关，压力开关，里程表等，作为一种新型的电器配件。
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DK106】
DK106产品特点:
采用双芯片设计，高压开关管采用双极型晶体管设计，以降低产品成本；控制电路采用大规模MOS数字电路设计,并采用E极驱动方式驱动双极型晶体芯片,以提高高压开关管的安全耐压值。内建自供电电路，不需要外部给芯片提供电源，有效的降低外部元件的数量及成本。
DK106芯片内集成了高压恒流启动电路，无需外部加启动电阻。
内置过流保护电路，防过载保护电路，输出短路保护电路，温度保护电路及光藕失效保护电路。
内置斜坡补偿电路，在低电压及大功率输出时的电路稳定。
内置PWM 振荡电路，并设有抖频功能，了良好的EMC 特性。
内置变频功能，待机时自动降低工作频率，在满足欧洲绿色能源标准（ < 0.3W）同时，降低了输出电压的纹波。
内置高压保护，当输入母线电压保护电压时，芯片将自动关闭并进行延时重启。
内建斜坡电流驱动电路，降低了芯片的功耗并提高了电路的效率。
4KV 防静电ESD 测试。
