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骁龙835采用了10纳米制造技术，不断提升的芯片制造工艺，可以降低手机功耗，同时更小的尺寸、更小的封装，还可以给智能设备的设计师更好的设计灵活度，设计更轻薄的手机。
骁龙835芯片中，DSP运算模块在整个平台中所占比重增加，显示下一代旗舰智能手机将可能在设备端获得更好支持深度学习和人工智能的能力。“大家知道，DSP适用于多维数据矩阵预算，适用于神经网络计算、深度学习。”高通产品市场总监张云介绍说。

10纳米不到头发丝直径的千分之一，对于新的835芯片，在不到硬币大小的芯片内，集成了超过30亿个晶体管。高通上一代芯片产品820、821采用了14纳米制造工艺，810芯片采用了20纳米工艺，2014年2月发布的801芯片采用了28纳米制造技术。
就在一天前，ARM公司发布的下一代技术中，也将芯片端对人工智能、深度学习的支持作为一大特点。目前谈论人工智能，人们更多谈论的是云端的智能，而芯片商从设备端对人工智能的发力，将有望在越来越强大的云体系之中，避免智能终端功能角色的弱化。湖南液晶屏回收公司张家界长沙收购手机液晶显示屏

此外值得注意的是，骁龙835芯片对沉浸式体验的优化，以及宣布支持移动PC，显示高通正在尝试在智能手机市场之外拓展更多智能终端市场。目前，AR/VR市场被业界看好，但待进一步成熟，而PC市场目前是英特尔的优势市场。手机ic回收：http://jonywang.51sole.com/ 电池回收：http://dianchihuishou.xunshou.com/ 回收ic：http://.xunshou.com/ 电子回收：http://huishouic.xunshou.com/ 电池回收http://dianchihuishou.51sole.com/ 内存条回收http://guiqinwang.51sole.com/。

此外，骁龙835芯片宣布支持千兆LTE网络，也显示了芯片商对LTE(4G)网络进一步优化的态度。业界预计，2019年5G将规模商用，届时5G网络将实现10Gb/s以上的峰值下载速率，是目前的数十倍以上，目前LTE的持续演进，预计在2018年实现千兆下载速率，而能否体现千兆LTE网络的价值，需要芯片商、终端设备商的跟进。

特瑞仕半导体 (TOREX SEMICONDUCTOR LTD. 日本东京、 6616:东京证券交易所 东证第二部)研发了线圈与控制IC一体化的升压型“micro DC/DC”转换器XCL102/XCL103系列。湖南液晶屏回收公司张家界长沙收购手机液晶显示屏

此外，以往产品仅支持PFM控制，采用PWM控制型(XCL102)与PFM/PWM转换(自动切换工作模式)控制型(XCL103)作为控制方法，可支持广泛的应用程序。
输入电压范围为0.65V(工作保持电压)～6.0V，输出电压范围为2.2V～5.5V(精度±2.0%)，可以0.1V步进进行设置。开关(工作)频率为3.0MHz，控制方式可从PWM控制(XCL102)或PWM/PFM转换(自动切换工作模式)控制(XCL103)中选择。

此次研发的XCL102/XCL103系列是一种将线圈与控制IC一体化的超小型(外形尺寸∶2.5mm x 2.0mm x h1.0mm)升压微型DC/DC转换器，只需在外部零件中增加陶瓷电容就能组成电源电路，因此将为节省基板面积的空间和缩短研发工期做出贡献。此外，因内置线圈，所以基板设计变得容易，可将辐射噪声和电路的工作故障控制在小限度。
XCL102/XCL103系列与以往产品的升压微型DC/DC转换器XCL101(输出电流为150mA，VIN=3.6V、VOUT=5.0V时)相比，在相同条件下输出电流为500mA，可支持更大电流的应用程序。

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