BSZ036NE2LS和IXA33IF1200HB和IPD031N06L3G和BFG591晶体管

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一、BSZ036NE2LS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 ：
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值） 3.6 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值） 16nC @ 10V
Vgs（大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值） 1200pF @ 12V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 2.1W（Ta），37W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-TSDSON-8-FL
封装/外壳 8-PowerTDFN



二、IXA33IF1200HB 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 ：
IGBT 类型 PT
电压 - 集射极击穿（大值） 1200V
电流 - 集电极（Ic）（大值） 58A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.1V @ 15V，25A
功率 - 大值 250W
开关能量 2.5mJ（开），3mJ（关）
输入类型 标准
栅极电荷 76nC
25°C 时 Td（开/关）值 -
测试条件 600V，25A，39 欧姆，15V
反向恢复时间（trr） 350ns
工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商器件封装 TO-247AD（HB）



三、IPD031N06L3G 晶体管 - FET，MOSFET - 单 ：
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值） 3.1 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 2.2V @ 93µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值） 79nC @ 4.5V
Vgs（大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值） 13000pF @ 30V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 167W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-TO252-3
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63




四、BFG591 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 ：
晶体管类型 NPN
电压 - 集射极击穿（大值） 15V
频率 - 跃迁 7GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） -
增益 -
功率 - 大值 2W
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（小值） 60 @ 70mA，8V
电流 - 集电极（Ic）（大值） 200mA
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装 SOT-223


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公司主要产品：苹果三星手机芯片，