宜宾M4D9-17划片刀半导体晶圆切割刀

刀刃部分采用精密电铸工艺制备而成，刀刃厚度范围：10μm~100μm，微粉粒径范围：1500#~5000#。

拥有6档磨粒集中度等级，适用晶圆种类范围更广；具有出色的通用性，能够适应各种复杂场景的划切需求，包括切割道内含有金属、 Pl/PO等各类工况；在切割水含有CO2的环境中，表现出的耐腐蚀性能；在划切超厚晶圆时（如晶圆级封装芯片），槽型可稳定保持垂直状态。

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主要用于对半导体硅晶圆、化合物半导体晶圆（SiC、GaAs、GaP等）、氧化物半导体晶圆（LiTaO3 等）等半导体晶圆进行、精密划切，实现芯片单体化。

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目前，机械式金刚石切割是划片工艺的主流技术。在这种切割方式下，金刚石刀片（Diamond Blade）以每分钟3万转到4万转的高转速切割晶圆的街区部分，同时，承载着晶圆的工作台以一定的速度沿刀片与晶圆接触点的切线方向呈直线运动，切割晶圆产生的硅屑被去离子水（DI water）冲走。依能够切割晶圆的尺寸 ，目前半导体界主流的划片机分８英寸和12英寸划片机两种。

刀片切割是指利用金刚石刀片对晶圆进行切割的工艺，这是一种纯粹的物理切割来分裂晶圆，一般厚度100um以上的晶圆适用于该划片方式。金刚石刀片在高速旋转时沿切割道移动，将晶圆完全切透，同时会使用水来冷却刀片和晶圆，减少热损伤以及带走切割产生的碎屑。


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刀片主要由金刚石颗粒，结合剂等组成。结合剂用于固定刀片中的金刚石颗粒。因此，刀片的性能主要由金刚石颗粒尺寸，金刚石颗粒浓度，结合剂的种类决定。

我们一般根据结合剂类型将刀片分为硬刀和软刀。软刀通常使用树脂作为结合剂，具有较好的柔韧性，一般用于切割硬脆材料，如石英、玻璃、陶瓷、硬质合金，LT，LN，AlN等。而硬刀通常采用金属结合剂或电镀结合剂，这使得硬刀具有较高的刚性和耐磨性，适合切割较硬的材质，如硅片，PCB板等。

切割毛刺

毛刺在晶圆的切割边缘形成的微小的材料残留，毛刺不仅影响芯片的外观，而且对芯片的性能和后续加工步骤产生负面影响。
MEMS导电胶 绝缘胶 低应力胶2025D 84-1LMI JM7000
厚膜导电胶84-1A 84-1LMI 84-1LMIT1 JM7000 84-3 2025D
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Ablestik光通信器件胶，高透光UV胶，光纤尾胶，光纤头胶，通过双85测试，耐低温-65度。