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深圳市芯引力电子科技有限公司面向深圳地区用户推荐电子元器件芯引力电子BOM配单。
片式电容，电子元器件芯引力电子BOM表配单
全称：多层（积层、叠层）片式陶瓷电容器，也称为贴片电容、片容，英文缩写：MLCC
主要规格尺寸，按英制标准分为：0201，0402，0603，0805，1206以及大规格的1210，1808，1812，2220，2225，3012，3035等。
容量范围：0.5pF100uF其中，一般认为容量在1uF以上为大容量电容。
额定电压：从4V 4KVDC当额定电压在100V及以上时，即归纳为中高压产品。
片式电容的稳定性及容量精度与其采用的介质资料存在对应关系，主要分为三大类别：
一、以COG/NPO为I类介质的高频电容器，其温度系数为±30ppm/℃，电容量非常稳定，几乎不随温度、电压和时间的变化而变化，主要应用于高频电子线路，如振荡、计时电路等；其容量精度主要为±5%以及在容量低于10pF时，可选用B档（±0.1pFC档（±0.25pFD档（±0.5pF三种精度。
二、以X7R为II类介质的中频电容器，其温度系数为±15%电容量相对稳定，适用于各种旁路、耦合、滤波电路等，其容量精度主要为K档（±10%
特殊情况下，可提供J档（±5%精度的产品。
三、以Y5V为II类介质的低频电容器，其温度系数为：+3080%电容量受温度、电压、时间变化较大，一般只适用于各种滤波电路中。
其容量精度主要为Z档（+8020%也可选择±20%精度的产品。
正确选择一颗片式电容时，除了要提供其规格尺寸及容量大小外，还必需特别注意到电路对这颗片式电容的温度系数、额定电压等参数的要求。
选电子元器件，采购来芯引力电子
贴片电容部分规格型号！更多联系芯引力电子。电子元器件芯引力电子BOM表配单
CL32F475ZO9LNNE三星贴片电容1210 4.7 uF 16V Y5V -400
CL32F106ZOHNNWE三星贴片电容1210 10 uF 16V Y5V -400
CL32F106ZOHNNNE三星贴片电容1210 10 uF 16V Y5V -400
CL32F106ZOELNNE三星贴片电容1210 10 uF 16V Y5V -400
CL32F106ZLHNNNE三星贴片电容1210 10 uF 35V Y5V -400
CL32F106ZLGNNNE三星贴片电容1210 10 uF 35V Y5V -400
CL32F106ZASLNNE三星贴片电容1210 10 uF 25V Y5V -400
CL32F106ZAHNNNE三星贴片电容1210 10 uF 25V Y5V -40000
CL32F105ZBFNNNE三星贴片电容1210 1 uF 50V Y5V -400
CL32C822JHJNNNE三星贴片电容1210 8.2 nF 630V C0G ±5 %
CL32C473JCJNNWF三星贴片电容1210 47 nF 100V C0G ±5 %
CL32C473JCJNNWE三星贴片电容1210 47 nF 100V C0G ±5 %
CL32C472JBFNNNE三星贴片电容1210 4.7 nF 50V C0G ±5 %
CL32C182JHHNNNF三星贴片电容1210 1.8 nF 630V C0G ±5 %
CL32C113JBHNNNF三星贴片电容1210 11 nF 50V C0G ±5 %
CL32C113JBHNNNE三星贴片电容1210 11 nF 50V C0G ±5 %
CL32C103JBFNNNE三星贴片电容1210 10 nF 50V C0G ±5 %
CL32C103GBFNNNE三星贴片电容1210 10 nF 50V C0G ±2 %
CL32C103FBFNNNE三星贴片电容1210 10 nF 50V C0G ±1 %
CL32C101KIFNNWE三星贴片电容1210 100 pF 1000V C0G ±10 %
CL32C101JJFNNNE三星贴片电容1210 100 pF 2000V C0G ±5 %
CL32B684KCJNNWE三星贴片电容1210 680 nF 100V X7R ±10 %
什么是电容？贴片电容芯引力电子
电子元器件识别的电容识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉（F）表示，其它单位还有：毫法（mF）、微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF）。其中：1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 uF/16V容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示字母表示法：1m=1000 uF 1P2=1.2PF 1n=1000PF 数字表示法：一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是倍率。如：102表示10×102PF=1000PF 224表示22×104PF=0.22 uF3、电容容量误差表符 号 F G J K L M允许误差 ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20%如：一瓷片电容为104J表示容量为0. 1 uF、误差为±5%.
芯引力三星贴片电容部分规格如下：
CL31B562KBCNNNC三星贴片电容1206 5.6 nF 50V X7R ±10 %
CL31B561KBCNNNL三星贴片电容1206 560 ㎊ 50V X7R ±10 %
CL31B561KBCNNNC三星贴片电容1206 560 pF 50V X7R ±10 %
CL31B475MAHNNNE三星贴片电容1206 4.7 uF 25V X7R ±20 %
CL31B475KPHNNWE三星贴片电容1206 4.7 uF 10V X7R ±10 %
CL31B475KPHNNNE三星贴片电容1206 4.7 uF 10V X7R ±10 %
CL31B475KPHNFNE三星贴片电容1206 4.7 uF 10V X7R ±10 %
CL31B475KOHNNWE三星贴片电容1206 4.7 uF 16V X7R ±10 %
CL31B475KOHNNNE三星贴片电容1206 4.7 uF 16V X7R ±10 %
CL31B475KOHNFNE三星贴片电容1206 4.7 uF 16V X7R ±10 %
CL31B475KBHZFNE三星贴片电容1206 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL31B475KBHE三星贴片电容1206 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL31B475KBHNNNF三星贴片电容1206 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL31B475KBHNNNE三星贴片电容1206 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL31B475KBHNNFE三星贴片电容1206 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL31B475KBHNFNE三星贴片电容1206 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL31B475KBHN3WE三星贴片电容1206 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL31B475KBHN3NE三星贴片电容1206 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL31B475KAHZW6E三星贴片电容1206 4.7 uF 25V X7R ±10 %
CL31B475KAHE三星贴片电容1206 4.7 uF 25V X7R ±10 %
CL31B475KAHNNNF三星贴片电容1206 4.7 uF 25V X7R ±10 %
CL31B475KAHNNNE三星贴片电容1206 4.7 uF 25V X7R ±10 %
CL31B475KAHNFNE三星贴片电容1206 4.7 uF 25V X7R ±10 %
CL31B475KAH4PNE三星贴片电容1206 4.7 uF 25V X7R ±10 %
电容器基本知识介绍：电子元器件芯引力电子BOM表配单
名称：聚酯（涤纶）电容（CL
电容量：40p--4u
额定电压：63--630V
主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差
应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路
名称：聚苯乙烯电容（CB
电容量：10p--1u
额定电压：100V--30KV
主要特点：稳定，低损耗，体积较大
应用：对稳定性和损耗要求较高的电路
名称：聚丙烯电容（CBB
电容量：1000p--10u
额定电压：63--2000V
主要特点：性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差
应用：代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路
名称：云母电容（CY
电容量：10p--01u
额定电压：100V--7kV
主要特点：高稳定性，高可靠性，温度系数小
应用：高频振荡，脉冲等要求较高的电路
名称：高频瓷介电容（CC
电容量：1--6800p
额定电压：63--500V
主要特点：高频损耗小，稳定性好
应用：高频电路
名称：低频瓷介电容（CT
电容量：10p--47u
额定电压：50V--100V
主要特点：体积小，，损耗大，稳定性差
应用：要求不高的低频电路
名称：玻璃釉电容（CI
电容量：10p--01u
额定电压：63--400V
主要特点：稳定性较好，损耗小，耐高温（200度）
应用：脉冲、耦合、旁路等电路
名称：铝电解电容
电容量：047--10000u
额定电压：63--450V
主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大
应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等
名称：但电解电容（CA 铌电解电容（CN
电容量：01--1000u
额定电压：63--125V
主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容
应用：要求高的电路中代替铝电解电容
名称：空气介质可变电容器
可变电容量：100--1500p
主要特点：损耗小，；可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等
应用：电子仪器，广播电视设备等
名称：薄膜介质可变电容器
可变电容量：15--550p
主要特点：体积小，重量轻；损耗比空气介质的大
应用：通讯，广播接收机等
名称：薄膜介质微调电容器
可变电容量：1--29p
主要特点：损耗较大，体积小
应用：收录机，电子仪器等电路作电路补偿
名称：陶瓷介质微调电容器
可变电容量：03--22p
主要特点：损耗较小，体积较小
应用：精密调谐的高频振荡回路
石电容的特点：电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定，耐高温耐湿性好等。
应用范围：广泛应用于电子精密仪器。各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。
容量范围：0.5PF--1UF
耐压：二倍额定电压。
里面说石又叫多层瓷介电容，分两种类型，1型性能挺好，但容量小，一般小于0.2U另一种叫II型，容量大，但性能一般。
就温漂而言：石为正温纟数+130左右，CBB为负温系数-230,用适当比例并联使用，可使温漂降到很小。
就价格而言：钽，铌电容贵，石，CBB较便宜，瓷片，但有种高频零温漂黑点瓷片稍贵。云母电容Q值较高，也稍贵。
选电子元器件，采购来芯引力电子
CL32B334KCHNNNE三星贴片电容1210 330 nF 100V X7R ±10 %
CL32B334KBFNNWE三星贴片电容1210 330 nF 50V X7R ±10 %
CL32B334KBFNNNE三星贴片电容1210 330 nF 50V X7R ±10 %
CL32B226MQJNNNE三星贴片电容1210 22 uF 6.3V X7R ±20 %
CL32B226MOJE三星贴片电容1210 22 uF 16V X7R ±20 %
CL32B226MOJNNWE三星贴片电容1210 22 uF 16V X7R ±20 %
CL32B226MOJNNNE三星贴片电容1210 22 uF 16V X7R ±20 %
CL32B226MAJNNWE三星贴片电容1210 22 uF 25V X7R ±20 %
CL32B226KPJNNNE三星贴片电容1210 22 uF 10V X7R ±10 %
CL32B226KOJE三星贴片电容1210 22 uF 16V X7R ±10 %
CL32B225KCJSNWF三星贴片电容1210 2.2 uF 100V X7R ±10 %
CL32B225KCJSNWE三星贴片电容1210 2.2 uF 100V X7R ±10 %
CL32B225KCJSNNF三星贴片电容1210 2.2 uF 100V X7R ±10 %
CL32B225KCJSNNE三星贴片电容1210 2.2 uF 100V X7R ±10 %
CL32B225KCJSFNE三星贴片电容1210 2.2 uF 100V X7R ±10 %
CL32B225KBJNNNF三星贴片电容1210 2.2 uF 50V X7R ±10 %
CL32B225KBJNNNE三星贴片电容1210 2.2 uF 50V X7R ±10 %
CL32B225KBJ4PNE三星贴片电容1210 2.2 uF 50V X7R ±10 %
CL32B225KAINNWE三星贴片电容1210 2.2 uF 25V X7R ±10 %
CL32B225KAINNNE三星贴片电容1210 2.2 uF 25V X7R ±10 %
CL32B224KCHNNWE三星贴片电容1210 220 nF 100V X7R ±10 %
CL32B224KCHNNNE三星贴片电容1210 220 nF 100V X7R ±10 %
CL32B224KBFNNWE三星贴片电容1210 220 nF 50V X7R ±10 %
CL32B224KBFNNNF三星贴片电容1210 220 nF 50V X7R ±10 %
CL32B224KBFNNNE三星贴片电容1210 220 nF 50V X7R ±10 %
CL32B223KGFNNWE三星贴片电容1210 22 nF 500V X7R ±10 %
CL32B223KGFNNNE三星贴片电容1210 22 nF 500V X7R ±10 %