高纯度金属杂质痕量半定量分析辉光放电质谱法GDMS

辉光放电质谱仪

　　仪器型号:VG9000

　　主要技术指标

　　1.可测元素范围：元素周期表中除氢（H）外的所有元素，包括常用分析方法难以测定的C，N，O，P，S等轻元素

　　2. 检测浓度范围：检测限，大多数元素的检测限为0.1～0.001μg·G-1

　　3. 分析速度：快速，一次可给出多量、少量、痕量以及超痕量多元素分析结果4. 激发源：功率≥30W；激发电压≥50kV，激发电流≥1mA

　　仪器主要用途

　　适用于高属、溅射靶材、稀贵金属、超级合金等材料的痕量杂质的半定量和定量分析，同时可分析C、N、O等轻元素；半导体材料包括硅片、CdTe、GaAs及其他多种高纯电子材料、

　　无机非金属材料的杂质分析；薄层分析，深度分布剖面分析等

　　射频辉光放电质谱

　　仪器型号:Autoconcept GD 90

　　-主要技术指

高属、溅射靶材、稀贵金属、超级合金材料痕量杂质得半定量分析、同时可分析C、N、O等轻元素。

半导体材料：包括硅片、 锑化镉、砷化镓及其他多种高纯电子材料得杂质分析。

无机非金属材料：包括陶瓷粉末、玻璃、稀土氧化物等材料分析。
电质谱法GDMS 辉光放电质谱法 半定量分析 高纯度金属杂质