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直拉式单晶生长炉的制作方法、专利名称:直拉式单晶生长炉的制作方法、技术领域:本发明涉及一种直拉式单晶生长炉。背景技术:图1为切克劳斯基(直拉)法制造硅单晶的单晶炉剖面示意图;图1-2 中,l为炉筒,2为保温盖,3为保温盖,4为保温材津牛,5为保温罩,6为 加热器,7为水套,8为石英埚,9为导流筒,IO为炉底护盘、12为输 入管、11为分布有出气孔11-1的环形气体分布器、13为排气口。直拉硅单晶在生长过程中需要向炉内不断充入,并与炉内生成的 一氧化硅及杂质粉尘混合,由于单晶炉内的加热器和坩埚支持器等均由石 墨制成, 一氧化硅易腐蚀所述石墨制成的器件且杂质粉尘易吸附在这些器 件上,从而影响了单晶炉的使用寿命。
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提拉式单晶炉技术参数1、电源电压:380VAC±5%2、电源频率:50HZ 3、电源相数:3相3线制4、变压器容量:190KVA5、加热器加热功率:160KW6、加热温度:1600℃7、加热器加热电压:60V8、冷炉极限真空度:<a9、晶体直径:¢6〞~¢8〞10、熔料量 :90Kg11、主炉室尺寸:φ900×1250mm上炉室尺寸:φ900×900mm下炉室尺寸:φ900×350mm12、翻板阀通径:φ280mm13、封头炉盖高度:410mm14、副炉室尺寸:φ280×250015、籽晶转速范围:1~40rpm16、籽晶拉速范围:0.2~8mm/min17、籽晶快速:≥350mm/min18、籽晶在炉内有效行程:3500mm19、籽晶在副室内有效行程:2100mm20、坩埚升速范围:0.02~1mm/min21、坩埚快速:≥100mm/min22、坩埚在炉内有效行程:400mm23、坩埚转速范围:1~30rpm24、两个电极孔孔距:480mm 25、耗水量:25m3/h26、主机占地面积:2500x2000mm27、主机高度:6800mm28、主机重量:约7500Kg分子泵回收,真空泵回收,真空流量计回收,plc编程回收,控制屏回收,离子泵回收,涡轮分子泵回收,螺杆真空泵回收,涡旋高真空泵回收,为了配合di76.Zmm器件生产线的发展,我所研制了国内台15~30公斤的DL。78型单晶炉[‘],并在该单晶炉上研究了48Omm硅单晶的控制工艺[‘]。在控制大直径硅单晶的过程中,涉及的面比较广,尤其是从我国原有1公斤、th3orum级的基础上跳跃到12公斤、680mm硅单晶的拉制工艺,需要研究讨论的问题很多,例如,热场的设计、减压工艺的设计与调整