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单晶炉提拉速度控制系统的设计与分析1　引　言半导体材料是半导体工业的基础材料 ,其中用量和用途广泛的是半导体硅。当今 95%以上的半导体器件是用硅材料制造的 ,99%以上的集成电路是硅集成电路 ,生产集成电路所需要的单晶硅 ,是在硅结晶生长开始时 ,用提拉的办法制成的。在单晶硅生产过程中 ,对晶体的提拉速度有十分严格的要求 ,从某种程度上讲提拉速度的控制好坏将直接影响到晶体的质量。对单晶硅生产过程中的提拉速度控制系统进行研究有实际意义。图 1示出了单晶炉提拉速度控制系统在单晶硅生产中的作用。提拉杆的运动是靠驱动电机通过减速器 ,再由齿轮齿条机构带动的。在单晶炉中 ,要求提拉单晶硅的提拉杆不仅能以某一期望线速度 V向上 (下 )运动 ,而且当提拉负载增大引起线速度为零时 ,提拉杆能保持其后位置而不上下滑动。在实际单晶炉中 ,对提拉控制系统提出的主要技术指标是 ,提拉速度在 0 .2～ 1 0 .0 mm/h范围之内实现无级可调 ,线性精度大于± 2 %蓝宝石长晶炉回收，多晶硅铸锭炉回收，提拉式长晶炉回收，多晶长晶炉回收，卧式长晶炉回收，拉式单晶炉、收购直拉式单晶炉-85型/90型/95型/100型种种整套单晶回收提炉装备、分子泵回收，真空泵回收，真空流量计回收，plc编程回收，控制屏回收，离子泵回收，涡轮分子泵回收，螺杆真空泵回收，涡旋高真空泵回收，半导体级直拉法的工艺控制\进入21世纪以来,随着新兴产业的科技创新,半导体行业得到了的发展。半导体产业发展迅猛,尤其近几年,大力发展半导体产业,缩短该行业与世界水平的差距。目前虽然有许多新兴材料来替代硅材料,但未来几年可以预见,硅材料由于其成熟的技术品质和稳定的物理化学性质,将会在相当长的一段时间里是主流材料。硅单晶作为主要材料,应用的领域也是相当广泛的。硅单晶是由多晶硅原料经过物理变化,让硅原子按照人为设定的方向进行生长,终形成的。一般会采用直拉法进行制备。晶圆的直径越大,集成电路制造的成本将会越低,因此要求作为材料的硅单晶的直径也要相应的增大。这里面涉及到了一系列问题。这篇论文主要讨论的是通过对热场的设计,工艺的过程控制,减少位错的产生,以及通过化学腐蚀对位错进行检测的相关问题。

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除尘器内的空间由圆柱容器经上、下盖密封形成，整个空间分成两大区域：除尘区域和排气区域。含尘气流由切线进气口进入除尘区域，沿外壁由下而上螺旋形旋转运动。气流作旋转运动时，尘粒在惯性离心力的推动下，要向圆柱容器内壁移动。到达内壁的尘粒在气流和重力的共同作用下，沿壁面落到容器底部。这种情况，离心力是除尘器的主要作用力，尘粒与气流分离界面是圆柱容器的内壁。还有，圆柱容器内设置内外两层金属网，内层金属网缠绕于内侧的6 根金属杆上。外层金属网缠绕于外侧的8 根金属杆上。这14 根金属杆被固定在上盘和盘上。它们固联于圆柱容器上法兰。圆柱容器设置的排气筒是排气区域。