江苏新北区英伟达芯片回收IC回收

新一代比老一代：频率更高、容量更大、速度更快、电压更低，DDR4加快普及中，成为市场主流，不同代内存条可通过内存上的标签贴纸或看防呆口位置就可以分辨。

DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即动态随机存取存储器，为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。

Flash内存即Flash Memory，全名叫Flash EEPROM Memory，又名闪存，是一种命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。

闪存是电子可擦除只读存储器(EEPROM)的变种，EEPROM与闪存不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是按区块擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快，所以被称为Flash erase EEPROM，或简称为Flash Memory。

由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS(基本输入输出程序)、PDA(个人数字助理)、数码相机中保存资料等。另一方面，闪存不像RAM(随机存取存储器)一样以字节为单位改写数据，因此不能取代RAM。

DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。