一般保存IGBT模块的场所,应保持常温常湿状态,不应偏离太大。常温的规定为5~35℃ ,常湿的规定在45~75%左右。在冬天特别干燥的地区,需用加湿机加湿; 尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合; 在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象,因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方; 保管时,须注意不要在IGBT模块上堆放重物; 装IGBT模块的容器,应选用不带静电的容器。
随着国内IGBT企业斯达半导的上市,并挤进IGBT模块供应商0,国产替代技术已经达到门槛。功率半导体是半导体行业的细分领域,虽不像集成电路一样被大众熟知,但其重要性不可忽视。1990-2010年,这20年时间内,IGBT节能效果为客户累计节省了约18万亿美元,减少了约100万亿磅的二氧化碳排放。IGBT作为电子电力装置和系统中的“CPU”,节能减排的主力军,有着强大的生命力,我们现在还离不开IGBT!
随着IGBT芯片技术的不断发展,芯片的高工作结温与功率密度不断提高, IGBT模块技术也要与之相适应。未来IGBT模块技术将围绕 芯片背面焊接固定 与 正面电互连 两方面改进。模块技术发展趋势:无焊接、 无引线键合及无衬板/基板封装技术;内部集成温度传感器、电流传感器及驱动电路等功能元件,不断提高IGBT模块的功率密度、集成度及智能度。