LTC3630AIMSE#PBF,降压稳压器ADI原装现货商

AD590KH
AD590是一款双引脚集成电路温度传感器，其输出电流与温度成比例。在4 V至30 V电源电压范围内，该器件可充当一个高阻抗、恒流调节器，调节系数为1 µA/K。片内薄膜电阻经过激光调整，可用于校准器件，使该器件在298.2 K (25°C)时输出298.2 μA电流。

AD590适用于150°C以下、目前采用传统电气温度传感器的任何温度检测应用。低成本的单芯片集成电路及无需支持电路的特点，使它成为许多温度测量应用的一种很有吸引力的备选方案。应用AD590时，无需线性化电路、精密电压放大器、电阻测量电路和冷结补偿。

除温度测量外，还可用于分立器件的温度补偿或校正、与温度成比例的偏置、流速测量、液位检测以及风速测定等。AD590提供裸片形式，适合受保护环境下的混合电路和快速温度测量。

AD590特别适合远程检测应用。它提供高阻抗电流输出，对长线路上的压降不敏感。绝缘良好的双绞线都适用于在与接收电路的距离可达到数百英尺之处工作。这种输出特性还便于AD590实现多路复用：输出电流可以通过一个CMOS多路复用器切换，或者电源电压可以通过一个逻辑门输出切换。
ADI产品系列部分型号：
ADUM141E1WBRWZ-RL
ADUM5401WCRWZ-1RL
ADUM5402WCRWZ-1RL
ADUM6421ABRNZ5-RL
ADUM6422ABRNZ5-RL
公司承诺所售产品均为原装，更多信息请或电话咨询我们的销售人员。

电能
ADI公司的检测、信号转换和信号处理技术为全球的能源基础设施提供支持。从微电网和公用事业到数据中心和工厂，ADI的领域可帮助您设计智能、灵活、的系统，以帮助您实现业务目标。
ADI产品系列部分型号：
ADM1085AKSZ-REEL7
ADM1166ASUZ-REEL7
LTC2642CMS-16#TRF
ADBMS6822WCCSZ-RL
ADCMP361WYRJZ-RL7
ADG1219BRJZ-REEL7
ADG849YKSZ-500RL7
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LTC4412IS6#TRPBF，采用 ThinSOT 封装的低损耗 PowerPath
LTC®4412 控制一个外部 P 沟道 MOSFET，以造就一种用于电源切换或负载均分的近理想型二极管功能。这实现了多个电源的 “合路” 操作，旨在延长电池的使用寿命和减少自发热。当导通时，MOSFET 两端的压降通常为 20mV。对于那些采用了一个墙上适配器或其他辅助电源的应用，当辅助电源接入时，负载将自动地与电池断接。可通过两个或更多 LTC4412 的互连来实现多个电池之间的负载均分或从单个充电器来对多个电池进行充电。
LTC4412 的宽电源工作范围支持采用 1 至 6 节串联锂离子电池来提供工作电源。低静态电流 (典型值为 11μA) 与负载电流无关。栅极驱动器包括一个用于 MOSFET 保护的内部电压箝位。
当检测到一个辅助电源时，可采用 STAT 引脚来使能一个辅助 P 沟道 MOSFET 电源开关。该引脚还可被用于在接入了一个辅助电源时向微控制器发出指示信号。控制 (CTL) 输入使得用户能够强制关断主 MOSFET，并将 STAT 引脚置于低电平。
LTC4412 采用扁平 (高度仅 1mm) ThinSOT 封装。
ADI产品系列部分型号：
LT1936IMS8E#TRPBF
LT3085EMS8E#TRPBF
LTC3675EUFF#TRPBF
LTC3728LCUH#TRPBF
LTC3805EMSE-5#PBF
ADL5375-05ACPZ-R7
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ADA4522-2ARMZ-R7优势和特点：
低失调电压：5 μV（大值）
极低失调电压漂移：大值22 nV/°C
低电压噪声密度：
5.8 nV/√Hz（典型值）
117 nV p-p（0.1 Hz至10 Hz，典型值）
低输入偏置电流：50 pA（典型值）
单位增益交越带宽：3 MHz（典型值）
单电源供电：输入电压范围包括地和轨到轨输出
宽工作电压范围：
单电源供电：4.5 V至55 V
双电源供电：±2.25 V至±27.5 V
集成EMI滤波器
单位增益稳定
ADI/亚德诺产品系列部分型号：
ADM7154ACPZ-1.8-R7
ADM7160AUJZ-1.8-R2
ADP1715ARMZ-1.2-R7
ADP1720ARMZ-3.3-R7
ADP2164ACPZ-1.8-R7
ADP2360ACPZ-5.0-R7
ADP2370ACPZ-3.3-R7
ADP3300ARTZ-3.3RL7
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ADR431ARMZ-REEL7，低噪声XFET基准电压源，具有吸电流和源电流能力。
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435是XFET®系列基准电压源，具有低噪声、和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正技术和外加离子注入场效应管(XFET)技术，可以使ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435电压随温度变化的非线性度降至低点。
与嵌入式齐纳基准电压源相比，XFET基准电压源能以更低的电流(800 μA)和更小的电源电压裕量(2 V)工作。嵌入式齐纳基准电压源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435 XFET基准电压源是适合5 V系统的低噪声解决方案。
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435系列的源电流输出高达30 mA，大吸电流能力为-20 mA。它还具有调整引脚，可以在±0.5%范围内调整输出电压，而性能则不受影响。
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435提供8引脚MSOP和8引脚窄体SOIC两种封装。所有型号产品的额定温度范围均为−40°C至+125°C扩展工业温度范围。
应用
精密数据采集系统
高分辨率数据转换器
医疗仪器
工业过程控制系统
光学控制电路
精密仪器
ADI/亚德诺产品系列部分型号：
LTC1728ES5-5#TRPBF
ADAU1466WBCPZ300RL
LT1460ACS8-2.5#PBF
LTC2642AIDD-16#PBF
LTC1872BES6#TRMPBF
ADM6710KARJZ-REEL7
ADUC7020BCPZ62-RL7
ADUC7023BCBZ62I-R7公司承诺所售产品均为原装，更多信息请或电话咨询我们的销售人员。

AD7938BSUZ优势和特点：
吞吐速率：1.5 MSPS
额定电压VDD：2.7 V至5.25 V
8个带序列器的模拟输入通道
可通过软件配置的模拟输入
8通道单端输入
4通道全差分输入
4通道伪差分输入
7通道伪差分输入
的2.5 V片内基准电压源
大±0.2%（25°C，大25 ppm/°C）
功耗
大6 mW（1.5 MSPS、3 V电源）
大13.5 mW（1.5 MSPS、5 V电源）
信纳比：69 dB（50 kHz输入频率）
无流水线延迟
高速并行接口——字/字节模式
完全关断模式：2 μA（大值）
32引脚LFCSP和TQFP封装
ADI/亚德诺产品系列部分型号：
LTC1067-50CS#TRPBF
LTC2320CUKG-14#PBF
LTC2901-1CGN#TRPBF
LTC3225EDDB#TRMPBF
LTC1643AL-1IGN#PBF
LTC2362ITS8#TRMPBF
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