湖北贴片肖特基二极管多少钱，贴片肖特基二极管

硅整流二极管是一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件，击穿电压高、反向漏电流小、高温性能良好，主要用于各种电源整流电路中。硅整流二极管型号有很多：
1）M1-M7二极管，封装形式SMA（DO-214AC），具体型号有：M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7，对应的反向重复峰值电压分别是50V、100V、200V、400V、600V、800V、1000V。2）A1-A7二极管，封装形式SOD-123FL，具体型号有：A1、A2、A3、A4、A5、A6、A7，对应的反向重复峰值电压分别是50V、100V、200V、400V、600V、800V、1000V。
3）1N4001-1N4007*二极管，封装形式DO-41，具体型号有：1N4001、1N4002、1N4003、1N4004、1N4005、1N4006、1N4007、1N4007*，对应的反向重复峰值电压分别是50V、100V、200V、400V、600V、800V、1000V、1200V。

二极管的主要原理就是利用PN结的单向导电性，在PN结上加上引线和封装就成了一个二极管。
晶体二极管为一个由P型半导体和N型半导体形成的PN结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于PN结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。
当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。
当外加的反向电压高到一定程度时，PN结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。PN结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。

光电二极管又称光敏二极管。它的管壳上备有一个玻璃窗口，以便于接受光照。其特点是，当光线照射于它的PN结时，可以成对地产生自由电子和空穴，使半导体中少数载流子的浓度提高，在一定的反向偏置电压作用下，使反向电流增加。因此它的反向电流随光照强度的增加而线性增加。

当无光照时，光电二极管的伏安特性与普通二极管一样。光电二极管作为光控元件可用于各种物体检测、光电控制、自动报警等方面。当制成大面积的光电二极管时，可当作一种能源而称为光电池。此时它不需要外加电源，能够直接把光能变成电能。