BSZ019N03LS，场效应管(MOSFET)英飞凌原装

IRF150P220AKMA1
采用 TO-150 封装的 247V 单 N 沟道强红外场效应管™功率 MOSFET
功能特性：
极低的RDS（开启）
出色的栅极电荷 x RDS（开启）（FOM）
优化的 Q 值RR
175°C 工作温度
根据JEDEC标准进行产品验证
针对分销合作伙伴提供的广泛可用性进行了优
降低传导损耗
高开关频率的理想选择
更低的过冲电压
与 150°C 额定部件相比，可靠性更高
无卤素，符合 IEC61249-2-21 标准
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
BSC070N10NS3G
IRLR024NTRPBF
IRLR3410TRPBF
IRFR120NTRPBF
IRFR5410TRPBF
IRFR220NTRPBF
IRFR7440TRPBF
BSS308PEH6327
IRFR1205TRPBF
IRF7480MTRPBF
IRF9310TRPBF
BSS138NH6327
IRF7351TRPBF
BSC093N15NS5
BSS316NH6327
常用型号大量原装现货，更多型号请咨询，欢迎各方案公司，终端工厂咨询合作！

英飞凌是世界上的功率半导体元件制造商，可提供品类的金属氧化物-硅晶体管产品组合。在于 2015 年收购美国国际整流器公司 (IRF) 后，英飞凌将所有 IRF MOSFET 产品及功率 MOSFET 纳入其产品体系，进一步加强和扩展了该产品组合，从而得以立足于行业。

英飞凌功率 MOSFET 产品组合为一系列应用提供的发电、电源和功耗解决方案，如太阳能微型逆变器、服务器、电信和电动车。
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
BSC0702LS
IRF9540NPBF
IRFP250NPBF
BSS169H6327
IRFB3607PBF
IRFP260NPBF
IRFB4110PBF
IRFP250MPBF
IRFP150NPBF
BSS84PH6327
IRF5210PBF
IRLZ44NPBF
IRF630NPBF
IRFZ24NPBF
SPW47N60C3
英飞凌常用型号常备现货，交货快捷迅速，欢迎各方案公司，终端工厂咨询合作！

AURIX™ TriCore™ 在单个MCU中集成了一个RISC处理器内核、一个微控制器和一个DSP。基于TriCore™ 的产品在汽车中的应用非常广泛，包括内燃机控制、纯电动和混合动力汽车、变速器控制单元、底盘域、制动系统、电动转向系统、安全气囊、联网和驾驶辅助系统，并推动着自动化，电动化以及网联化的发展。AURIX™ 系列还适用于工业应用领域，在优化电机控制应用和信号处理方面非常具有性。
英飞凌广泛的产品组合使得工程师能根据自己所需的存储器、外设、频率、温度和封装挑选合适的产品。并且，所有这些在不同的产品间都具有很高的兼容性。
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
IPB160N04S4-H1
IRFR3709ZTRPBF
IRFS7730TRL7PP
IRFS7534TRLPBF
IRF6215STRLPBF
IPD25N06S4L-30
IRFS4127TRLPBF
IRFR4105ZTRPBF
IRFZ34NSTRLPBF
IRFTS9342TRPBF
IRFR220NTRLPBF
IRFR5410TRRPBF
IRFHS9301TRPBF
IPD70N10S3L-12
IPD30N10S3L-34
常用型号大量现货，更多型号请咨询！

IGBT-绝缘栅双极晶体管
不同电压和电流等级的 IGBT 分立器件、压接式器件、功率模块以及组件解决方案。
我们的 IGBT 产品系列包括多款不同器件。这些产品广泛应用于汽车、牵引、能源传输、工业和消费系统领域。我们的解决方案在正向和阻断状态下功耗非常低，仅需低驱动功率便可发挥率。这些 IGBT 产品可承受高达 6.5 kV 的电压，并可在 2 kHz 至 50 kHz 的开关频率下工作。
借助广泛的技术组合优势，面向工业和功率控制应用的 IGBT ,具有出色的电流承载能力和更高的脉冲负载能力，功耗极低。
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
IRLML9303TRPBF
IRF3710STRLPBF
IRLML2246TRPBF
IRFS7530TRL7PP
IRLML5103TRPBF
IRLML6246TRPBF
IRFHM9331TRPBF
BSC0802LSATMA1
IRFR3410TRLPBF
IRFS7440TRLPBF
IRLMS6802TRPBF
IRFS4229TRLPBF
IRFR3710ZTRPBF
IRLR024NTRLPBF
IRFR6215TRLPBF
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英飞凌提供多种 P 沟道功率 MOSFET 产品，专为汽车申请，符合 AEC 标准。
P 沟道功率 MOSFET 降低中低功率应用的设计复杂性
P 沟道 MOSFET 使用空穴流作为电荷载流子，其迁移率低于 N 沟道 MOSFET 中使用的电子流。在功能方面，主要区别在于P沟道MOSFET需要从栅极到源极的负电压（V一般事务人员） 导通（与需要正 V 的 N 沟道 MOSFET 相反一般事务人员电压）。这使得P沟道MOSFET成为高边开关的理想选择。设计的简单性有利于空间有限的低压驱动应用和非隔离POL。P沟道MOSFET特性的一大优势是简化的栅极驱动技术，通常可降低总体成本。
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
IRFS4227TRLPBF
IRFR4615TRLPBF
IRFR9120NTRPBF
IPG20N06S4L-26
IRFR4620TRLPBF
IRFML8244TRPBF
IRLR8726TRLPBF
IRLML6302TRPBF
IRLML0040TRPBF
IRLML2030TRPBF
IRFR5305TRLPBF
IRLR2905ZTRPBF
IRFZ44NSTRLPBF
IRLR3110ZTRPBF
IRFS7537TRLPBF
英飞凌各种常用型号大量现货，欢迎咨询合作！手机同号。

P 沟道功率 MOSFET 应用
英飞凌为广泛的工业和汽车应用提供丰富的P沟道功率MOSFET产品组合。
工业应用
英飞凌广泛的 P 沟道功率 MOSFET 产品组合是各种工业应用的理想选择，包括B保护， 崇敬极性保护， 线性电池充电器， 负载开关，直流-直流转换器,车载充电器,电机控制和低压驱动应用.汽车应用
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
BSZ010NE2LS5ATMA1
BSL215CH6327XTSA1
ISC011N06LM5ATMA1
BSC005N03LS5ATMA1
IRF9540NSTRLPBF
IRF5210STRLPBF
IRLML9301TRPBF
IRLML5203TRPBF
IRLML2402TRPBF
IRFS3607TRLPBF
IRLML6346TRPBF
IRF530NSTRLPBF
IRLML2244TRPBF
IRLML2060TRPBF
IRF5305STRLPBF
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