东莞MUR540D超快恢复高压二极管

FRED是用外延片、离子注入工艺制备的快速二极管，其特点是开关速度更快、具有较小的恢复电荷 Qrr 和反向恢复电流 IRRM、参数更、开关损耗以及软度更优。常用来给高频逆变装置的开关器件作续流、吸收、箝位、隔离、输出和输入整流器，使开关器件的功能得到充分发挥。外延快恢复二极管 (hyper-fast)，其反向恢复时间在 25ns。

超快恢复二极管(SRD )是近年来问世的新型半导体器件，具有开关特性好，反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等优点超快恢复二极管 SRD则是在快恢复二极管基础上发展而成的,其反向恢复时间已接近于肖 特基二极管的指标。它可广泛用于开关电源、脉宽调制器(PWM)、不间断电源(UPS)、交流电 动机变频调速(V/VF)、高频加热等装置中，作高频、大电流的续流二极管或整流管.

快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同,它是在P型、N 型硅材料中间增加了基区1,构 成 P-I-N 硅片,由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了t值，还降低了瞬态正向 压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向 压降约为 0.6V，正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二 极管的反向恢复电荷进一步减小，使其 trr可低至几十纳秒。

快恢复二极管（Fast Recovery Diode）是一种主要应用于功率变换电路中的二极管，它的主要作用是能够迅速地回复到初始状态，并且具有较高的反向耐受电压以及较低的正向导通压降。快恢复二极管是半导体器件的一种，与常规二极管相比，其恢复时间更短，符合功率系统对于高频和的需求。

快恢复二极管是由正向导通栏区和反向击穿栏区组成的双重 PN 结构。其工作原理主要可以概括为在正向偏置下，PN 结进入导通状态；在反向偏置下，PN 结处于截止状态。而在开关过程中，如果仅对快速的电压反转产生响应，就需要使快恢复二极管处于反向偏置，在这个过程中，快恢复二极管会从截止状态变成导通状态，从而完成反向电流的捕获，并且产生一个瞬态开放电容结构的载体与绝缘体之间的电荷，然后通过晶体管将这种载体导出，继续增强元器件的恢复速度。因此，快恢复二极管具有快速导通和快速恢复的特点。

面对高频应用，人们总是希望trr更短，二极管恢复更快。我们熟悉的肖特基二极管在高频应用中有非常好的表现，trr可以低至几十甚至几nS，Qrr可以低至几十nC。但是，所谓“人无完人”，肖特基二极管也有它的弱点，即反向漏电流大，反向耐压低，所以可以用在低电压场合，但不能在几百伏的高压应用中工作。

通过采用特的掺铂 (Pt) 工艺，超快恢复二极管系列产品可实现快几十nS的反向恢复时间，高反向电压可达一千多伏，额定电流也可以达到上百安，高工作结温为175℃。

高压二极管是将若干个台面型芯片叠在一起，从而实现高耐压的层状单元型结构，采用特的新型结构保护胶钝化，环氧树脂封装。具有性能稳定、高耐湿、高耐热等特点。主要用于微波炉、汽车点火器、安全电表及其他电子设备高压电源整流，保护高压线路。
高压整流二极管是一种特殊的半导体器件,主要用于高电压交流到直流的转换。它由PN结构构成,具有单向导电特性,可以在大电压和大电流条件下工作。高压整流二极管的结构包括金属电极、半导体材料、隔离层等,能够承受高达数千伏的反向电压,在整流电路中扮演着至关重要的角色。