面垒型探测器一般采用N型单晶硅片,并将金沉积在上面制成,故也常称为金硅面垒型探测器。它是利用金和半导体之间接触电势差,在半导体中形成没有自由载流子的耗尽层,即是探测器的灵敏区。在采用高纯度硅材料时,其厚度可达4~5毫米。此外,还可以用极薄的硅片做成全耗尽型探测器,或称为dE/dX型探测器,薄可达1~2微米。入射粒子可以穿过它并根据其能量损失率而鉴别粒子种类。锂漂移型探测器为了探测穿透能力较强的射线,要求探测器有更大的灵敏区。
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