XP075PCE120AM1E3国产IGBT模块75A1200V

深圳市三佛科技有限公司供应XP075PCE120AM1E3国产IGBT模块75A 1200V，原装现货

XP075PCE120AM1E3国产IGBT模块75A 1200V 

在使用IGBT模块的场合，选择何种电压，电流规格的IGBT模块，需要做周密的考虑。

a. 电流规格

IGBT模块的集电极电流增大时，VCE上升，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，元件发热加剧。因此，根据额定损耗，开关损耗所产生的热量，控制器件结温（Tj）在 150℃以下（通常为安全起见，以125℃以下为宜），请使用这时的集电流以下为宜。特别是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热也加剧，需十分注意。

一般来说，要将集电极电流的大值控制在直流额定电流以下使用，从经济角度这是值得推荐的。

b.电压规格

IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即市电电源电压紧密相关。例如单相220Vac 输入，会选择IGBT 600~650V 耐压、三相380Vac 输入，会选择IGBT 1200V 耐压的元件。

IGBT的VGE耐压值为±20V(电压尖峰不可超过±30V)，如在IGBT模块加上超出耐压值的电压，将会导致损坏的危险，因而在栅极-发射极之间，需确保不超出耐压值的电压。

在使用装置的场合，如果栅极回路不合适或者栅极回路处于高阻抗状态（栅极处于开路状态），在主回路上加上驱动电压时，则IGBT有很大概率会损坏，为防止这类损坏情况发生，应在栅极-发射极之间并联一只10kΩ左右的电阻为宜。

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（PFC）,华润华晶，长电，远翔，成启，华能等品牌的MOS管，二，三极管及驱动IC。同时分销IR,ST,ON,TI, FAIRCHILD,AOS等品牌产品，为客户提供更加完整的供应链服务。