W988D2FBJX7E，WINBOND/华邦存储芯片

W988D6FBGX7I
Winbond 256Mb低功率SDRAM是一种低功率同步存储器，包含268,435,456个由Winbond工艺技术制造的存储单元。它的设计是比普通的SDRAM消耗更少的功率，低功率功能的必要条件，使用电池的应用。它可在两个组织提供： 2,097,152字×4银行×32位或4,194,304字×4银行×16位。该设备以完全同步的模式运行，输出数据被同步到系统时钟的正边缘，并能够以高达166MHz的时钟速率传输数据。该设备支持特殊的低功耗功能，如部分阵列自刷新（PASR）和自动温度补偿自刷新（ATCSR）。低功耗SDRAM适用于2.5G / 3G手机、PDA、数码相机、移动游戏机和其他需要大内存密度和低功耗的手持应用程序。设备从1.8V电源运行，支持1.8V LVCMOS总线接口。
WINBOND/华邦同系列其他型号：
W988D6FBGX6
W988D6FBGX6E
W988D6FBGX7E
W988D6FBGX7G
W988D6FBGX71
W988D2FBJX6
W988D2FBJX7E
W988D2FBJX7G
W988D2FBJX6E
WINBOND/华邦常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，如需了解更多品牌，产品型号规格请咨询我们的销售人员。

W25Q256JV特性：
SpiFlash 存储器系列 – W25Q256JV：256M 位 / 32M 字节 – 标准 SPI： CLK， /CS， DI， DO – 双 SPI： CLK， /CS， IO0， IO1， – 四通道 SPI： CLK， /CS， IO0， IO1， IO2， IO3 – 3 或 4 字节寻址模式 – 软件和硬件复位（1）  串行闪存 – 133MHz 标准/双通道/四通道 SPI 时钟 – 相当于 266/532MHz 双通道/四通道 SPI – 66MB/S 连续数据传输速率 – 每个扇区至少 100K 编程擦除周期 – 超过 20 年的数据保留 的“连续读取” – 四通道外设接口 – 允许真正的 XIP（就地执行）操作 – 优于 X16 并行闪存  低功耗、宽温度范围 – 2.7 至 3.6V 单电源 –<1μA 关断（典型值） – -40°C 至 +85°C 工作范围 – -40°C 至 +105°C 工作范围
华邦其他型号：
W25Q128FVEIG W25Q128FWFIG
W25Q128FVFG W25Q128FWFIQ
W25Q128FVFIG W25Q128FWPF
W25Q128FVIQ W25Q128FWPG
W25Q128FVPIG W25Q128FWPIF
W25Q128FVPIQ W25Q128FWPIG
W25Q128FVPQ W25Q128FWPIM
W25Q128FVSAQ W25Q128FWPM
W25Q128FVSIG W25Q128FWSBQ
W25Q128FVSIQ W25Q128FWSIF
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NAND+LPDDR2系列：
W71NW10GE3FW
W71NW10HE3FW
W71NW10HM3FW
W71NW20GF3FW
W71NW20KM3FW
W71NW20KJ3FW
W71NW42KJ3FW
1Gb NAND + 512Mb LPDDR2
W25N01GW产品特性：
一般描述
W25N01GW（1G 位）串行 SLC NAND 闪存为空间、引脚和功耗有限的系统提供存储解决方案。
它们非常适合将代码影子复制到 RAM，直接从双/四通道 SPI （XIP） 执行代码并存储语音、文本和数据。
待机电流低至 10μA。
W958D6DBC
这是一个256M位CellularRAM™兼容产品，组织为16M字乘16位;专为低功耗便携式应用开发的高速CMOS伪静态随机存取存储器。
WINBOND/华邦其他部分型号：
W25Q32JWBYIQ W25Q40BWZPIG
W25Q32JWUUIQ W25Q40CLSNIG
W25Q32JWZPIQ W25Q40CLSSIP
W25Q40BVNIG W25Q40CLUXIG
W25Q40BVSNIG W25Q40CVUXJG
W25Q40BWSNIG W25Q40EWBYIG
W25Q40BWUXIE W25Q40EWSNIG
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