汕尾M4D9-17划片刀半导体晶圆切割刀

半导体晶圆切割用划片刀头在切割时，线速度是一个非常重要的参数，可以直接影响到切割效率和切割质量。 以下是关于金刚石刀头切割过程中线速度的介绍： 线速度是指切割线每分钟旋转的圈数，单位为m/min。 线速度过快，金刚石颗粒就会被削短，使刀头变钝，而且金刚石颗粒很容易掉落，影响切割质量。 线速度过慢，刀头会过度磨损，切割效率低下。 金刚石刀头切割时，应根据不同的材料选择合适的线速度。

刀刃部分采用精密电铸工艺制备而成，刀刃厚度范围：10μm~100μm，微粉粒径范围：1500#~5000#。

拥有6档磨粒集中度等级，适用晶圆种类范围更广；具有出色的通用性，能够适应各种复杂场景的划切需求，包括切割道内含有金属、 Pl/PO等各类工况；在切割水含有CO2的环境中，表现出的耐腐蚀性能；在划切超厚晶圆时（如晶圆级封装芯片），槽型可稳定保持垂直状态。

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因为硅材料的脆性，机械切割方式会对晶圆的正面和背面产生机械应力，结果在芯片的边缘产生正面崩角（FSC- Front Side Chipping）及背面崩角（BSC – Back Side Chipping）。
正面崩角和背面崩角会降低芯片的机械强度，初始的芯片边缘裂隙在后续的封装工艺中或在产品的使用中会进一步扩散，从而可能引起芯片断裂，导致电性失效。另外，如果崩角进入了用于保护芯片内部电路、防止划片损伤的密封环（Seal Ring）内部时，芯片的电气性能和可靠性都会受到影响。　
封装工艺设计规则限定崩角不能进入芯片边缘的密封圈。

北京汐源科技有限公司
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通常在切割前会在晶圆背部贴上UV膜或蓝膜，之后将贴有UV膜的晶圆放入划片机中，设置好程序开始划片，划片结束后拿出晶圆，进行解UV等工序。蓝膜成本较低，但是需要通过机械手段+温度辅助才能将芯片剥离；而UV膜粘性可以通过紫外线照射来改变。在划片完成后，晶圆被暴露在紫外光下，这使得膜的粘性降低，从而容易地剥离芯片。
崩边

正崩主要发生在晶圆的切割面（正面），背崩是指晶圆背面的崩边。不管正崩与背崩，在晶圆划片时都是不被允许的。崩边产生的原因有：

1，不恰当的切割参数导致崩边

2，刀片磨损严重，钝化的刀片边缘增加了切割过程中的不规则作用力，从而增加了崩边的可能性

3，刀片中的金刚石等磨料颗粒在切割过程中与晶圆表面材料发生撞击，导致崩边
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颗粒越大，刀片寿命越长；颗粒越小，刀片寿命越短。 颗粒集中度的影响 颗粒集中度对划片质量也非常关键。 关于相同的金刚石颗粒大小会消费出不同集中度的刀片，划片效果也会有很大差别。 目前，划片刀常见有5种规格，分别是：50、70、90、110、130。 依据实践测试得出，高集中度的金刚石颗粒，划片阻力小，划片速度快，，还能够延长划片刀的寿命，减少晶圆正面崩缺