SCTH35N65G2V-7AG，ST场效应管原装供货

STM32F105R8T6特性：
主流互连型ARM Cortex-M3微控制器，具有64 KB闪存、72 MHz CPU、CAN和USB 2.0 OTG
STM32F105xx和STM32F107xx连接系列集成了ARM®皮质®-工作频率为72 MHz的M3 32位RISC内核、高速嵌入式存储器(高达256千字节的闪存和64千字节的SRAM)，以及连接到两条APB总线的大量增强型I/o和外设。所有器件都提供两个12位ADC、四个通用16位定时器和一个PWM定时器，以及标准和通信接口:多两个I2C、三个SPI、两个i2s、五个USARTs、一个USB OTG FS和两个can。以太网仅适用于STM32F107xx。
ST意法MOSFET场效应管型号（部分）：
STF26N65DM2
STF26NM60N
STF27N60M2-EP
STF28N60DM2
STF28N60M2
STF28N65M2
STF2LN60K3
STF2N62K3
STF2N95K5
STF33N60DM6
STF33N60M2
STF33N65M2
STF35N65DM2ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，以信用为基石，诚意合作。如需了解更多品牌，产品型号规格请咨询我们的销售人员。

STB47N50DM6AG
汽车级N沟道500 V、61 mOhm典型值、38 A MDmesh DM6功率MOSFET，D2PAK封装
符合 AEC-Q101 标准
快速恢复体二极管
较低的RDS（开启）单位面积与上一代相比
低栅极电荷、输入电容和电阻
雪崩测试
的 dv/dt 性
齐纳保护
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号：
STD12NF06LT4
STD13N60DM2
STD13N60M2
STD13N60M6
STD13NM60N
STD13NM60ND
STD140N6F7
STD15N50M2AG
STD15N60DM6
STD15NF10T4
STD15P6F6AG
STD16N50M2
STD16N60M6
STD16N65M2
ST/意法常用型号备有大量现货，我们只做原装，欢迎合作！

STE40NC60
N沟道600V 0.098 Ohm 40A ISOTOP POWERMESH II MOSFET
The PowerMESH™二是代网格覆盖的演变™.引入的布局改进地改善了 Ron* 面积品质因数，同时使器件在速度、栅极电荷和性方面保持。
所有功能：
典型 RDS（打开）= 0.098 Ω
雪崩测试
的DV/dt能力
栅极电荷小化
新的高压基准
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号：
STD5N20LT4
STD5N52K3
STD5N52U
STD5N60DM2
STD5N60M2
STD5N95K3
STD5N95K5
STD5NK40Z-1
STD5NK40ZT4
STD5NK50ZT4
STD5NK60ZT4
ST/意法常用型号备有大量现货，我们只做原装，欢迎合作！