深圳MUR30120PT快恢复二极管供应商

芯片的接触区域真空沉积金属层，实质上这有助于它们的高功率循环应用能力和适合芯片的封装工艺。所有在硅晶圆片上加工处理的芯片在样品测试后，自动标识不符合电气说明的芯片，然后世成小颗粒。芯片颗粒的可形状是正方形或长方形的。

快恢复二极管与常规的二极管结构类似，由正向PN结和反向PN结构成。但快恢复二极管在两侧分别加入了一层高浓度的掺杂区域，形成了一个带有浅反型层的PN结。当反向电压施加到二极管上时，由于反型层的存在，使得该层内的载流子在接近PN结时重新被抽出，从而缩短反向恢复时间。

随着电子技术的不断发展，人们对快恢复二极管的要求也越来越高。未来，快恢复二极管将具有以下发展趋势(1)提高电流密度:提高快恢复二极管的电流密度，以适应更高功率的电源和开关应用。(2)降低反向漏电流:降低快恢复二极管的反向漏电流，提高其可靠性和稳定性。
(3)继续提高开关速度:提高快恢复二极管的反向恢复时间和开关速度，以适应更高频率的开关应用。
(4)提高耐辐照性能:提高快恢复二极管的耐辐照性能，以适应更严苛的环境要求。