怒江NAIGQ同轴衰减器供应

同轴衰减器是一种能量损耗性射频/微波元件，元件内部含有电阻性材料。除了常用的电阻性固定衰减器外，还有电控快速调整衰减器。衰减器广泛使用于需要功率电平调整的各种场合。

构成同轴衰减器的基本材料是电阻性材料。通常的电阻是同轴衰减器的一种基本形式，由此形成的电阻衰减器网络就是集总参数衰减器。通过一定的工艺把电阻材料放置到不同波段的射频/微波电路结构中就形成了相应频率的衰减器。如果是大功率衰减器，体积肯定要加大，关键就是散热设计。随着现代电子技术的发展，在许多场合要用到快速调整衰减器。这种衰减器通常有两种实现方式，一是半导体小功率快调衰减器，如PIN管或FET单片集成衰减器；二是开关控制的电阻衰减网络，开关可以是电子开关，也可以是射频继电器。

衰减器是一种能量消耗元件，功率消耗后变成热量。可以想象，材料结构确定后，衰减器的功率容量就确定了。如果让衰减器承受的功率超过这个极限值，衰减器就会被烧毁。设计和使用时，明确功率容量。

主要用途
1、控制功率电平：在微波超外差接收机中对本振输出功率进行控制，获得佳噪声系数和变频损耗，达到佳接收效果。在微波接收机中，实现自动增益控制，改善动态范围。
2、去耦元件：作为振荡器与负载之间的去耦合元件。
3、相对标准：作为比较功率电平的相对标准。
4、用于雷达抗干扰中的跳变衰减器：是一种衰减量能突变的可变衰减器，平时不引入衰减，遇到外界干扰时，突然加大衰减。
从微波网络观点看，同轴衰减器是一个二端口有耗微波网络。它属于通过型微波元件。
衰减器是一种提供衰减的电子元器件， 广泛地应用于电子设备中，它的主要用途是：（1）调整电路中信号的大小；（2）在比较法测量电路中，可用来直读被测网络的衰减值；（3）改善阻抗匹配，若某些电路要求有一个比较稳定的负载阻抗时，则可在此电路与实际负载阻抗之间插入一个衰减器，能够缓冲阻抗的变化。
当输入功率从10mW变化到额定功率时，衰减量的变化系数表示为dB/（dB*W）。衰减量的变化值的具体算法是将系数乘以总衰减量功率（W）。如：一个功率容量50W，标称衰减量为40dB的衰减器的功率系数为0.001dB/（dB*W），意味着输入功率从10mW加到50W时，其衰减量会变化0.001*40*50=2dB之多！
当两段光纤进行连接时，达到相当高的对中精度，才能使光信号以较小的损耗传输过去。反过来，如果将光纤的对中精度做适当的调整，就可以控制其衰减量。位移型光衰减器就是根据这个原理，有意让光纤在对接时，发生一定的错位。使光能量损失一些，从而达到控制衰减量的目的，位移型光衰减器又分为两种：横向位移型光衰减器、轴向位移型光衰减器。横向位移型光衰减器是一种比较传统的方法，由于横向位移参数的数量级均在微米级，所以一般不用来制作可变衰减器，仅用于固定衰减器的制作中，并采用熔接或粘接法，到目前仍有较大的市场，其优点在于回波损耗高，一般都大于60dB。轴向位移型光衰减器在工艺设计上只要用机械的方法将两根光纤拉开一定距离进行对中，就可实现衰减的目的。这种原理主要用于固定光衰减器和一些小型可变光衰减器的制作。
同轴衰减器是一种用于减小信号功率的器件，它的基本构成包括以下几个主要部分：
内导体（Inner Conductor）：内导体是同轴衰减器的中心导体，通常是一根金属导线或管道，负责传输信号的电流。
外导体（Outer Conductor）：外导体是内导体的外层，通常是一个金属套管，起到屏蔽和保护内导体的作用。
对于NAIGQ同轴衰减器，虽然无法提供具体的品牌或型号信息，但根据同轴衰减器的一般特性，可以推测它可能具有上述技术指标和参数，并适用于各种射频/微波信号传输系统中的应用。在选择和使用时，建议参考具体的产品手册或技术文档，以确保其满足应用需求并具有良好的性能表现。