IPD78CN10NG，场效应管(MOSFET)英飞凌原装

静电保护_浪涌电压保护：当今的消费电子设备中，静电保护（ESD）对于保障严酷瞬变环境下系统的稳健性至关重要。英飞凌提供多种TVS（瞬变电压抑制）二极管，以从系统层面保护电子设备。
快速增长的芯片级封装系列
英飞凌不断地扩大芯片级封装的TVS二极管系列，力求在超小型封装内，以竞争力的价格提供的保护性能，同时质量水平高，性能稳健。
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
IAUA200N04S5N010
IPW60R037P7XKSA1
BSZ019N03LSATMA1
IPP60R360P7XKSA1
IPB320P10LMATMA1
IPD60R180C7ATMA1
IPP076N15N5AKSA1
IPA90R1K2C3XKSA2
IPD80R4K5P7ATMA1
IPU80R4K5P7AKMA1
BSL606SNH6327XTSA1
IMBF170R1K0M1XTMA1
BSC520N15NS3GATMA1
IMW120R020M1HXKSA1
IPD30N10S3L34ATMA1
英飞凌常用型号常备现货，交货快捷迅速！

工业收发器
关键特性：
传输速率高达 2 Mbit/s
符合 ISO11898 标准
仅接收模式
支持故障条件
总线唤醒
符合 CAN FD 协议
核心优势：
低电流消耗
热保护
低功率模式
的 EMI 性能
待机/休眠模式
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
IRFS4615TRLPBF
IRF540NSTRRPBF
IRLR3705ZTRPBF
IRLZ24NSTRLPBF
IRFS3006TRL7PP
IPN60R360PFD7S
IRF2804STRL7PP
IRFHS8342TRPBF
BSS131H6327XTSA1
IPD60R400CEAUMA1
BSS139H6327XTSA1
BSS127H6327XTSA2
IPD350N06LGBTMA1
BSC028N06NSATMA1
IPT015N10N5ATMA1
欢迎各方案公司，终端工厂咨询合作！

英飞凌提供多种 P 沟道功率 MOSFET 产品，专为汽车申请，符合 AEC 标准。
P 沟道功率 MOSFET 降低中低功率应用的设计复杂性
P 沟道 MOSFET 使用空穴流作为电荷载流子，其迁移率低于 N 沟道 MOSFET 中使用的电子流。在功能方面，主要区别在于P沟道MOSFET需要从栅极到源极的负电压（V一般事务人员） 导通（与需要正 V 的 N 沟道 MOSFET 相反一般事务人员电压）。这使得P沟道MOSFET成为高边开关的理想选择。设计的简单性有利于空间有限的低压驱动应用和非隔离POL。P沟道MOSFET特性的一大优势是简化的栅极驱动技术，通常可降低总体成本。
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
IRFS4227TRLPBF
IRFR4615TRLPBF
IRFR9120NTRPBF
IPG20N06S4L-26
IRFR4620TRLPBF
IRFML8244TRPBF
IRLR8726TRLPBF
IRLML6302TRPBF
IRLML0040TRPBF
IRLML2030TRPBF
IRFR5305TRLPBF
IRLR2905ZTRPBF
IRFZ44NSTRLPBF
IRLR3110ZTRPBF
IRFS7537TRLPBF
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